[发明专利]钝化接触电池及其制备方法

权利要求书

1.一种钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在N型硅片的正面进行硼扩散形成P⁺层和正面硼硅玻璃；

去除背面的背结后，在背面依次生长隧穿氧化层、背面非晶硅层，之后在背面进行磷扩散形成N⁺层和背面磷硅玻璃，其中，磷扩散自然形成的背面磷硅玻璃作为背面掩膜；在生长背面非晶硅层的过程中，在正面形成了正面非晶硅层；在背面进行磷扩散的过程中，在正面形成了正面磷硅玻璃；

增加背面掩膜的厚度，之后依次去除正面磷硅玻璃、正面非晶硅层、背面掩膜与正面硼硅玻璃；

在正面生长氧化铝，之后在正面和背面形成氮化硅膜；以及

在正面和背面印刷银电极，烧结之后得到钝化接触电池；

所述增加背面掩膜的厚度的操作为：将形成背面磷硅玻璃后的N型硅片进行氧化处理，维持反应温度为700℃-900℃，氧气流量为500sccm-2000sccm，反应时间为5min-60min。

2.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述增加背面掩膜的厚度至5nm-15nm。

3.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，在所述N型硅片的正面形成P⁺层的步骤之前还包括在N型硅片的正面制绒的步骤。

4.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述去除正面磷硅玻璃的操作采用链式单面刻蚀的方式。

5.根据权利要求1或4所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述去除正面磷硅玻璃的操作为：在链式单面刻蚀装置中配制氢氟酸溶液，设置1m/s-2m/s带速，正面朝下，刻蚀N型硅片的正面磷硅玻璃，刻蚀完成后使用去离子水清洗并烘干。

6.根据权利要求5所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述去除正面磷硅玻璃的操作中，氢氟酸的体积分数为5％-20％。

7.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，去除正面非晶硅层的操作为：在槽式装置中配制氢氧化四甲基铵溶液，设置温度为50℃-80℃，放入去完正面磷硅玻璃的N型硅片，反应100s-800s完成后，使用去离子水清洗并烘干。

8.根据权利要求7所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述氢氧化四甲基铵的体积分数为3％-15％。

9.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，去除背面掩膜与正面硼硅玻璃的操作为：在槽式装置中配制10％-20％vol氢氟酸溶液，放入去完正面非晶硅层的N型硅片，反应100s-800s，使用去离子水清洗并烘干。

10.一种钝化接触电池，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的钝化接触电池的制备方法制备而成。