[发明专利]一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：按照以下步骤完成：

(1)、称取硒粉放入反应容器中，所述硒粉的质量为25mg～80mg；

(2)、称量水合肼与去离子水，加入步骤(1)的反应容器中，所述水合肼与去离子水的体积比为1:1至1:5；

(3)、将步骤(2)中得到的反应容器放入超声波设备或搅拌设备中，10～20分钟后取出；

(4)、裁剪面积为1～8cm²的铜基材料，用去离子水、无水乙醇超声洗涤15～30分钟，备用；

(5)、用浓度为1～3mol/L的稀盐酸浸泡步骤(4)所得铜基材料5～20分钟，取出并用去离子水清洗干净，置入步骤(3)的反应容器中；

(6)、将步骤(5)所得反应容器在室温下放置1～10分钟；

(7)、反应完毕后，将步骤(6)所得的产物从反应容器中取出，经清洗、干燥后，即得在铜基上生长的硒化亚铜纳米片。

2.根据权利要求1所述在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：所述硒粉、水合肼均为分析纯，铜基材料为铜片或铜箔或泡沫铜。

3.根据权利要求1所述在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：所述硒粉、水合肼和去离子水的比例为25～80mg:1～4mL:1～20mL。

4.根据权利要求1所述在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中：所述反应容器由耐酸碱的材料制成。

5.根据权利要求1所述在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：所述反应容器为聚四氟乙烯容器或塑料容器或玻璃容器等。

6.根据权利要求1所述在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中：所述超声波设备为超声波清洗器或超声波震荡器；所述搅拌设备为磁力搅拌器或机械搅拌器或人工搅拌。

7.根据权利要求1所述在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中：所述产物用去离子水或超纯水和无水乙醇冲洗，然后自然晾干或热烘干或真空干燥得到最终产品。