[发明专利]制造半导体结构的方法

说明书

本公开实施例提供制造半导体结构的方法。此方法提供一基底。根据第一层掩模执行第一光刻，以在基底上方的一层的第一区域上形成具有第一间距的多个第一光子晶体。根据第二层掩模执行第二光刻，以在该层的第二区域上形成具有第二间距的多个第二光子晶体。提供光照射第一光子晶体和第二光子晶体。接收由第一光子晶体和第二光子晶体所反射或是穿透过第一光子晶体和第二光子晶体的光。分析所接收的光，以检测对应于第一层掩模的第一光子晶体和对应于第二层掩模的第二光子晶体之间的重叠位移。

技术领域

本公开有关于一种制造半导体结构的方法，且特别有关于一种制造具有测量目标的半导体结构的方法。

背景技术

一般而言，半导体集成电路(integrated circuit，IC)形成在半导体基底(或半导体芯片)的多个层上。为了适当地制造半导体集成电路，基底的一些层需要彼此对准。在这种情况下，可在半导体基底中形成测量目标(metrology target)(或是对准标记)来执行重叠(或对准)测量。

传统的测量目标可包括多个光栅，以及可根据光栅的安排来测量半导体基底的不同层之间的重叠位移(overlay-shift)。

尽管现有的测量目标通常已经足够用于其预期目的，但在所有方面都不是完全令人满意的。因此，需要新的测量目标来提供重叠位移测量、关键尺寸(criticaldimensions，CD)和焦点深度(depth of focus，DoF)的解决方案。

发明内容

本公开提供一种制造半导体结构的方法。此方法包括提供一基底。根据第一层掩模执行第一光刻，以在基底上方的一层的第一区域上形成具有第一间距的多个第一光子晶体。根据第二层掩模执行第二光刻，以在该层的第二区域上形成具有第二间距的多个第二光子晶体。提供光照射第一光子晶体和第二光子晶体。接收由第一光子晶体和第二光子晶体所反射或是穿透过第一光子晶体和第二光子晶体的光。分析所接收的光，以检测对应于第一层掩模的第一光子晶体和对应于第二层掩模的第二光子晶体之间的重叠位移。

附图说明

图1是显示根据本公开一些实施例所述的重叠位移测量系统的示意方框图；

图2是显示根据本公开一些实施例所述的测量目标的上视图；

图3A是显示根据本公开一些实施例所述的图2中沿着测量目标的线A-AA的剖面图；

图3B是显示根据本公开一些实施例所述的图2中测量目标的立体图；

图4是显示根据本公开一些实施例所述的图2中测量目标的输入光、反射光与透射光；

图5A是显示图4的输入光的光谱；

图5B是显示图4的反射光的光谱；

图5C是显示图4的透射光的光谱；

图6A-图6G是显示根据本公开一些实施例所述的形成图3A中测量目标的不同阶段的剖面图；

图7A-图7E是显示根据本公开一些实施例所述的形成图3A中测量目标的不同阶段的剖面图；

图8A是显示具有重叠位移的测量目标的输入光、反射光和透射光的示意图；

图8B是显示图8A的反射光的光谱；

图8C是显示图8A的透射光的光谱；

图9A是显示具有重叠位移的测量目标的输入光、反射光和透射光的示意图；

图9B是显示图9A的反射光的光谱；

图9C是显示图9A的透射光的光谱；

图10是显示具有重叠位移的测量目标的输入光、反射光和透射光的示意图；