[发明专利]一种低二次电子产额的Mo电极表面处理方法

说明书

本发明公开了一种低二次电子产额的Mo电极表面处理方法，包括以下步骤：设定激光器的参数，然后采用激光器对Mo电极表面进行处理，其中，激光的功率范围为6‑20W，激光波长为532nm或者1064nm，激光扫描速率为1‑2000mms^‑1，该方法可获得低二次电子产额的Mo电极表面，并且具有处理过程简单、可重复性高及性能稳定的特点。

技术领域

本发明涉及一种适用于行波管多级降压收集极的材料表面处理方法，具体涉及一种低二次电子产额的Mo电极表面处理方法。

背景技术

行波管是一种宽频带、大功率的微波真空电子器件，广泛应用于电子对抗、雷达、制导等领域。通常，行波管的主要部件包括电子枪、慢波结构、收集极、耦合器等。行波管作为通信转发器的核心之一，其未来发展的方向有三个，即更高的效率、更长的寿命和更高的可靠性。

提高行波管总效率的方法主要有两类：一是电子速度的再同步技术，但受行波管工作原理所限，电子效率本身不可能无限制的提高，且电子效率太高的行波管的非线性性能不好；二是回收剩余电子能量的降压收集极技术，以提高空间行波管的总效率。因此，第二类方法成为目前提高行波管总效率的研究重点。要提高降压收集极的性能，通常通过以下三种方式：(1)采用多级降压收集极；(2)采用不对称多级降压收集极设计；(3)采用二次电子产额低的收集极电极。通过以上三种方式，收集极可以回收失能电子注的功率，从而降低总功耗，继而间接提高行波管的总效率。

针对方法(3)所提及的采用低二次电子产额的收集极电极，学者们提出了多种降低收集极二次电子产额的表面处理方法，比如采用在无氧铜收集极上镀TiN、碳系薄膜、镀Mo金属等方法(A.N.Currtn,K.-n.J.Long,K.A.Jensen,R.F.Roman,An effectnesecondaryelectronemission suppression treatment for copper MDC electrodes,IEEE,IEDM 93-77731.8.1(1993)；J.James A.Dayton,A review of the suppressionofsecondary electron emission from the electrodes of multistage collectors,18thInt.Symp.on Discharses and Electrical Insulation in Vacuum,Eindhoven,1998)。这些方法可以获得低二次电子产额的表面，但是需要相应的镀膜设备，制备环境需要在真空下进行，制备过程复杂，制备成本高。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了一种低二次电子产额的Mo电极表面处理方法，该方法可获得低二次电子产额的Mo电极表面，并且具有处理过程简单、可重复性高及性能稳定的特点。

为达到上述目的，本发明所述的低二次电子产额的Mo电极表面处理方法包括以下步骤：设定激光器的参数，然后采用激光器对Mo电极表面进行处理，其中，激光的功率范围为6-20W，激光波长为532nm或者1064nm，激光扫描速率为1-2000mms^-1。

当扫描范围为500μm时，处理后Mo电极表面的粗糙度为20-200μm。

采用激光器对Mo电极表面进行处理后，Mo电极表面形成若干凸起，其中，各凸起均呈大葱花的花球结构。

两次激光扫描后在Mo电极表面上所形成凹槽中的相邻凹槽间距为5-300μm。

本发明具有以下有益效果：