[发明专利]一种用于产生高密度等离子体的装置

权利要求书

1.一种用于产生高密度等离子体的装置，其特征在于，所述装置包括：

等离子体发生室，其内设置有等离子体源；

衬底处理室，与所述等离子体源成轴向关系；

第一线圈，围绕所述等离子体发生室的一部分；

第二线圈，围绕所述第一线圈的一部分，且所述第一线圈与所述第二线圈共面；

固定件，用于将所述第一线圈和所述第二线圈保持在相对彼此固定的位置，以防止所述第一线圈和所述第二线圈相对运动；

电路组件，用于调节所述第一线圈和所述第二线圈中的相对电流量。

2.根据权利要求1所述的用于产生高密度等离子体的装置，其特征在于，还包括基板处理室，其内设置有基板，所述处理室还具有顶部，所述第一线圈和所述第二线圈布置在垂直于所述等离子体源以及基板处理室的平面上。

3.根据权利要求2所述的用于产生高密度等离子体的装置，其特征在于，所述基板处理室包括顶板，所述顶板包括用于将气体供给到所述处理室中的气管和出料孔。

4.根据权利要求3所述的用于产生高密度等离子体的装置，其特征在于，所述出料孔从所述基板处理室的内表面延伸至所述气管。

5.根据权利要求1所述的用于产生高密度等离子体的装置，其特征在于，所述电路组件包括用于在所述第一线圈中产生的第一方向的电流和在所述第二线圈中产生与所述第一方向相反的第二方向的电流的结构。

6.根据权利要求1所述的用于产生高密度等离子体的装置，其特征在于，所述第一线圈和所述第二线圈具有公共轴线，并且所述第一线圈沿所述轴线的高度基本等于所述第二线圈沿所述轴线的高度。