[发明专利]晶圆加工方法和半导体器件的制备方法

说明书

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种晶圆加工方法和半导体器件的制备方法。该晶圆加工方法包括如下步骤：提供碳化硅晶圆；所述碳化硅晶圆表面形成有多个管芯，相邻两管芯之间由划片道隔开；在所述碳化硅晶圆上涂布聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺层覆盖所述多个管芯和划片道；用光掩膜对所述聚酰亚胺层进行光刻处理，得到聚酰亚胺图案层；其中，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成，所述第一聚酰亚胺材料图案包裹住所述管芯的边缘并延伸至所述划片道上，所述第二聚酰亚胺材料图案位于所述划片道上；以及沿所述划片道上进行切割处理。

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种晶圆加工方法和半导体器件的制备方法。

背景技术

碳化硅(SiC)作为新一代的宽禁带半导体材料，在功率半导体领域具有极其优异的性能表现，是功率半导体器件发展的前沿和未来方向。作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅单晶材料具有禁带宽度大(～Si的3倍)、热导率高(～Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高(～Si的2.5倍)和击穿电场高(～Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。

在碳化硅晶圆产品的制造中，特别是1200V以上耐压器件的制造工艺中，都会使用聚酰亚胺(Polyimide，PI)作为护层的材料，即利用聚酰亚胺材料优异的热稳定性和物理机械性能，来达到提高碳化硅产品的耐压和产品可靠性的目的。但是，在实际的芯片制造和芯片封装的加工过程中，常常会出现聚酰亚胺层与下层结构脱落和开裂的异常情况。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种晶圆加工方法和半导体器件的制备方法，旨在解决现有晶圆芯片加工过程中，聚酰亚胺容易脱落和开裂的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种晶圆加工方法，包括如下步骤：

提供碳化硅晶圆；所述碳化硅晶圆表面形成有多个管芯，相邻两管芯之间由划片道隔开；

在所述碳化硅晶圆上涂布聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺层覆盖所述多个管芯和划片道；

用光掩膜对所述聚酰亚胺层进行光刻处理，得到聚酰亚胺图案层；其中，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成，所述第一聚酰亚胺材料图案包裹住所述管芯的边缘并延伸至所述划片道上，所述第二聚酰亚胺材料图案位于所述划片道上；以及

沿所述划片道上进行切割处理。

本发明另一方面提供一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法包括利用本发明的上述晶圆加工方法对碳化硅晶圆进行加工。