[发明专利]薄膜覆晶封装结构在审
| 申请号： | 201811316563.6 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109768022A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈进勇 | 申请（专利权）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 宋义兴;张立晶 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜覆晶封装 弯折区 电镀层 导电层 防焊层 开口区 可挠性基板 弯折 导电层形成 单层结构 封装晶片 特性获得 耐弯折 开口 涵盖 | ||
1.﹑一种薄膜覆晶封装结构，用以封装一晶片，其特征在于，该薄膜覆晶封装结构包含：
一可挠性基板；
一导电层，形成于该可挠性基板的一第一面上；
一电镀层，形成于该导电层上且具有一开口区；以及
一防焊层，形成于该电镀层上并通过该开口区与该导电层相连，该防焊层为单层结构；
其中，该薄膜覆晶封装结构定义有一弯折区，该弯折区涵盖于该开口区内且该弯折区小于或等于该开口区，当该薄膜覆晶封装结构的该弯折区进行弯折时，该弯折区内无任何该电镀层存在，致使该弯折区的耐弯折特性获得提升。
2.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该可挠性基板由聚亚酰胺或其他可挠性材料构成。
3.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该导电层由铜或其他导电材料构成。
4.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该电镀层由锡或其他电镀材料构成。
5.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该可挠性基板具有一第一厚度，位于该弯折区内的该可挠性基板形成有一应力释放部，至少一部分的该应力释放部具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度，致使该弯折区的耐弯折特性获得提升。
6.﹑如权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该应力释放部形成于该可挠性基板的一第二面上，且该第二面与该第一面彼此相对。
7.﹑如权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该应力释放部通过镭射切断或湿式蚀刻的方式形成。
8.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，位于该弯折区内的该导电层所形成的线路包含至少一非直线图样。
9.﹑如权利要求8所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该至少一非直线图样为蛇形图样或钻石形图样。
10.﹑一种薄膜覆晶封装结构，用以封装一晶片，其特征在于，该薄膜覆晶封装结构包含：
一可挠性基板，具有一第一厚度；
一导电层，形成于该可挠性基板的一第一面上；
一电镀层，形成于该导电层上；以及
一防焊层，形成于该电镀层上；
其中，该薄膜覆晶封装结构定义有一弯折区，位于该弯折区内的该可挠性基板形成有一应力释放部，至少一部分的该应力释放部具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度，致使该弯折区的耐弯折特性获得提升。
11.﹑如权利要求10所述的薄膜覆晶封装结构，其中该可挠性基板由聚亚酰胺或其他可挠性材料构成。
12.﹑如权利要求10所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该导电层由铜或其他导电材料构成。
13.﹑如权利要求10所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该电镀层由锡或其他电镀材料构成。
14.﹑如权利要求10所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该应力释放部形成于该可挠性基板的一第二面上，且该第二面与该第一面彼此相对。
15.﹑如权利要求10所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该应力释放部通过镭射切断或湿式蚀刻的方式形成。
16.﹑如权利要求10的所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，位于该弯折区内的该导电层所形成的线路包含至少一非直线图样。
17.﹑如权利要求16所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该至少一非直线图样为蛇形图样或钻石形图样。
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