[发明专利]等离子体蚀刻方法

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括：

利用包含碳氟化合物气体和含有氧的气体的第一处理气体，在形成于包含SiO₂的蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属掩模上形成碳氟化合物保护膜的工序；和

通过在形成有所述碳氟化合物保护膜的所述含金属掩模，利用第二处理气体的等离子体对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

至少交替地重复进行2次以上所述形成碳氟化合物保护膜的工序和所述对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。

3.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

在所述含金属掩模上形成有掩模膜，

所述等离子体蚀刻方法还包括预蚀刻工序，所述预蚀刻工序在所述形成碳氟化合物保护膜的工序之前，将所述掩模膜作为掩模，对所述蚀刻对象膜进行蚀刻，直到露出所述含金属掩模的上表面的至少一部分。

4.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

还包括图案形成工序，所述图案形成工序在所述形成碳氟化合物保护膜的工序之前，将具有规定的开口图案的掩模膜作为掩模，在含金属掩模上形成所述规定的开口图案。

5.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括：

通过在形成于包含SiO₂的蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属掩模，利用包含碳氟化合物气体和含有氧的气体的处理气体的等离子体对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的工序；和

在生成所述处理气体的等离子体的期间，间歇地施加用于引入所述等离子体中的离子的高频电力的工序，

在未施加高频电力时，在含金属掩模上形成碳氟化合物保护膜，

在施加高频电力时，通过形成了碳氟化合物保护膜的含金属掩模对所述蚀刻对象膜进行蚀刻。

6.如权利要求5所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

在所述含金属掩模上形成有掩模膜，

所述等离子体蚀刻方法还包括预蚀刻工序，所述预蚀刻工序在所述对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序之前，将所述掩模膜作为掩模，对所述蚀刻对象膜进行蚀刻，直到露出所述含金属掩模的上表面的至少一部分。

7.如权利要求5所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

还包括图案形成工序，所述图案形成工序在所述对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序之前，将具有规定的开口图案的掩模膜作为掩模，在含金属掩模上形成所述规定的开口图案。

8.如权利要求3或6所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述掩模膜的蚀刻速率低于所述蚀刻对象膜的蚀刻速率。