[发明专利]一种基于正交法的电子束熔覆工艺参数优化方法及系统

权利要求书

1.一种基于正交法的电子束熔覆工艺参数优化方法，其特征在于，包括：

获取需要优化的工艺参数因子；

对所述工艺参数因子分别进行单变量实验，得到因子水平；

根据各所述因子水平，生成正交试验表；

对所述正交实验表的每一组方案依次进行熔覆试验，得到目标参数值；

根据所述目标参数值，得到各因子极差值；

根据各所述因子极差值，确定各因子最优水平；

根据各所述因子最优水平，得到优化工艺参数组合。

2.根据权利要求1所述的基于正交法的电子束熔覆工艺参数优化方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述优化工艺参数组合采用目标参数值方差法进行验证，得到验证结果；

根据验证结果，确定最终优化工艺参数组合。

3.根据权利要求2所述的基于正交法的电子束熔覆工艺参数优化方法，其特征在于，所述对所述优化工艺参数组合采用目标参数值方差法进行验证，得到验证结果，具体包括：

计算出各因素的偏差平方和、自由度，采用下列公式计算：

其中，I_j、II_j、III_j为j各列水平的试验指标的平均值；为试验指标的平均值；K_j为同一水平出现的次数；S_j为偏差平方和；

f_j＝第j列的水平数－1

f_j为自由度；

根据所述平方和和所述自由度计算各因子的的方差比：

F_j＝V_j/V_e

其中，F_j为第j列的方差之比；V_j为方差；V_e为误差列的方差；

V_j＝S_j/f_j

V_e＝S_e/f_e

其中，S_e为误差列的偏差平方和；f_e为误差列的自由度；

将所述方差比值与手册中的标准Fa对比，得到每个因素的显著程度；

根据各所述显著程度确定验证结果。

4.根据权利要求1所述的基于正交法的电子束熔覆工艺参数优化方法，其特征在于，所述根据所述目标参数值，得到各因子极差值，具体包括：

根据所述目标参数值利用Minitab软件绘制目标参数的主效应图；

根据所述主效应图，计算各个因子的极差。

5.一种基于正交法的电子束熔覆工艺参数优化系统，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取需要优化的工艺参数因子；

因子水平确定模块，用于对所述工艺参数因子分别进行单变量实验，得到因子水平；

正交试验表生成模块，用于根据各所述因子水平，生成正交试验表；

目标参数值确定模块，用于对所述正交实验表的每一组方案依次进行熔覆试验，得到目标参数值；

因子极差值确定模块，用于根据所述目标参数值，得到各因子极差值；

最优水平确定模块，用于根据各所述因子极差值，确定各因子最优水平；

优化工艺参数组合确定模块，用于根据各所述因子最优水平，得到优化工艺参数组合。

6.根据权利要求5所述的基于正交法的电子束熔覆工艺参数优化系统，其特征在于，所述系统还包括：

验证单元，用于对所述优化工艺参数组合采用目标参数值方差法进行验证，得到验证结果；

确定单元，用于根据验证结果，确定最终优化工艺参数组合。