[发明专利]三维存储器台阶结构的形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括台阶区域；

在所述台阶区域表面形成掩膜层，所述掩膜层至少包括硬度大于有机聚合物层的硬度的第一子掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，对所述堆叠结构的台阶区域进行台阶刻蚀，形成台阶结构，所述台阶刻蚀包括：对所述掩膜层进行横向刻蚀，暴露出下方的台阶区域的部分表面；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述堆叠结构至一个台阶厚度；重复上述步骤，直至在所述台阶区域形成自底部向上的台阶结构。

2.根据权利要求1所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述第一子掩膜层的厚度与所述堆叠结构的厚度正相关。

3.根据权利要求1所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，采用含氧气体对所述掩膜层进行横向刻蚀。

4.根据权利要求1所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层还包括第二子掩膜层，所述第二子掩膜层的硬度小于所述第一子掩膜层的硬度。

5.根据权利要求4所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述第一子掩膜层和第二子掩膜层能被相同的刻蚀气体刻蚀。

6.根据权利要求4所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述第二子掩膜层位于所述堆叠结构表面，所述第一子掩膜层位于所述第二子掩膜层表面。

7.根据权利要求4所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述第一子掩膜层位于所述堆叠结构表面，所述第二子掩膜层位于所述第一子掩膜层表面。

8.根据权利要求7所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，对所述掩膜层进行横向刻蚀包括：对所述第二子掩膜层进行横向刻蚀，暴露出下方的第一子掩膜层；以所述第二子掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一子掩膜层至所述堆叠结构表面。

9.根据权利要求2所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构包括自衬底表面向上，交替堆叠的绝缘层和牺牲层；所述一个台阶厚度至少包括一层绝缘层和一层牺牲层。

10.根据权利要求1所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述第一子掩膜层的材料为无定形碳。

11.根据权利要求4所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述第二子掩膜层为光刻胶层。

12.根据权利要求1所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述掩膜层之前，对所述台阶区域进行刻蚀，形成台阶分区。

13.根据权利要求1所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构还包括核心区域，所述台阶区域围绕所述核心区域设置；在所述台阶区域和核心区域表面同时形成所述掩膜层。

14.根据权利要求1所述的三维存储器台阶结构的形成方法，其特征在于，所述三维存储器为3D NAND存储器。