[发明专利]一种方西瓜栽培方法

权利要求书

1.一种方西瓜栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)整地施肥：选择灌溉方便的壤土或沙壤土作为栽培地，随耕翻施基肥，耕翻深度为15-20cm，每亩施腐熟农家肥1500-2000kg、含钾不少于15％的复合肥30-40kg、50％的多菌灵可湿性粉剂200g、和硫酸锌1-1.5kg，整地做畦，畦宽2.5-3m，畦高20-25cm，沟宽35-40cm，并构建大棚；

(2)浸种催芽：剔除畸形杂籽、瘪籽的南瓜或西瓜种子，倒入60-70℃温水中浸泡，不断搅动直至水温降至室温，停止搅动，继续浸泡3-5h，然后用湿纱布包裹好，于25-30℃下催芽，早晚用清水清洗一次，待50％-60％种子露白后即可播种；

(3)南瓜育苗：采用穴播方式，每穴播种2粒种子，行距60-70cm，株距40-50cm，覆土后浇足水，并覆盖地膜，苗期白天温度保持在25-28℃，夜间15-18℃，当60％种子出苗后撤去地膜；

(4)西瓜育苗：采用撒播方式，播种前给苗床浇足底水，每亩用种量300-350g，播种后在苗床上撒一层1-2cm后的细土，并覆盖地膜，苗期白天温度保持在25-28℃，夜间18-22℃，当75％种子出苗后撤去地膜；

(5)嫁接：选取具有一叶一心的西瓜苗作为接穗，具有两叶一心的南瓜苗作为砧木，嫁接时将砧木苗心摘除，并用竹签在摘除的苗心处向下插出深2cm、宽1cm的插孔，再将接穗用嫁接刀沿长径端部向下45度切出宽度1cm的斜向切口，将接穗切口对准插孔插入砧木中，最后用无菌塑料薄膜缠绕嫁接处；

(6)苗期管理：嫁接后3天内保持大棚内湿度在90-95％，白天温度在25-28℃，夜间在15-18℃，1周后开始放风炼苗，待接穗发芽后将接穗根部断去，并分批将其上部的薄膜划开，让芽眼露出，及时抹除砧芽，待气温回暖后解除薄膜，当接芽发出5-7叶时摘心，育苗期间适时追肥，以氮肥为主，辅施磷、钾肥；

(7)整枝压蔓、授粉；

(8)留瓜及上模具，模具为大小可调节的方形玻璃模具；

(9)西瓜采收：及时采收成熟的西瓜，采收时在瓜柄上端留5cm枝蔓。

2.根据权利要求1所述的一种方西瓜栽培方法，其特征在于，所述步骤(7)中，采用二蔓整枝，保留主蔓和自主蔓基部发生的健壮侧蔓，在主蔓上留瓜，压蔓3～5次，瓜坐稳后停止压蔓。

3.根据权利要求1所述的一种方西瓜栽培方法，其特征在于，所述步骤(7)中的授粉，是人工授粉和放养蜜蜂采花授粉相结合。

4.根据权利要求1所述的一种方西瓜栽培方法，其特征在于，步骤(9)中，西瓜七成熟时撤除模具，八成熟时采收。

5.根据权利要求1所述的一种方西瓜栽培方法，其特征在于，该方法在大棚内栽培，播种时间为2月中旬至3月初，收获时间为5月中旬至6月初。

6.根据权利要求4所述的一种方西瓜栽培方法，其特征在于，步骤(9)中，撤除模具时，对西瓜进行标记，按照标记代表的顺序的顺序采收。

7.根据权利要求6所述的一种方西瓜栽培方法，其特征在于，步骤(9)中，对西瓜进行标记的办法是用红色、绿色、黄色的绳子系在西瓜的瓜柄，按照标记代表：“红先绿后黄色排最后”的顺序分批次采收。