[发明专利]避免OVP误触发的DIM调光电路

权利要求书

1.一种避免OVP误触发的DIM调光电路，其特征在于：线性电压转换电路的输入端和DIM控制模块的输入端分别接收DIM调光信号，DIM控制模块输出CON信号和SD信号，线性电压转换电路的输出端连接运放U2的同相输入端，运放U2的输出端连接MOS管N5的栅极，MOS管N5的源极通过电阻R2接地，运放U2的反相输入端连接MOS管N5的源极，MOS管N5的漏极连接MOS管P5的漏极，MOS管P5的源极和MOS管P6的源极分别连接电源VCC，MOS管P5的栅极和MOS管P6的栅极分别连接MOS管N5的漏极，MOS管P6的漏极分别连接MOS管N3的漏极、MOS管N3的栅极和MOS管N4的栅极，MOS管N3的源极和MOS管N4的源极分别接地，MOS管N4的漏极连接MOS管P4的漏极；运放U1的同相输入端连接基准电压VREF，运放U1的输出端连接MOS管N6的栅极，MOS管N6的源极通过电阻R1接地，运放U1的反相输入端连接MOS管N6的源极，MOS管N6的漏极连接MOS管P3的漏极，MOS管P3的源极、MOS管P4的源极和MOS管P2的源极分别连接电源VCC，MOS管P3的栅极、MOS管P4的栅极和MOS管P2的栅极分别连接MOS管N6的漏极，MOS管P4的漏极连接MOS管P1的源极，MOS管P2的源极还连接MOS管P1的源极，MOS管P2的漏极连接线性电压转换电路；芯片控制信号DRV分别控制连接MOS管P1的栅极、MOS管N1的栅极和或门U4的一个输入端，MOS管P1的漏极连接MOS管N1的漏极并通过施密特触发器SMT连接或门U4的另一个输入端，或门U4的输出端连接与门U5的一个输入端，SD信号输入与门U5的另一个输入端，与门U5的输出端连接与门U6的一个输入端，与门U6的输出端通过非门U7输出信号DIM_TOFF，退磁结束信号DM连接与门U6的另一个输入端并通过非门U3连接MOS管N2的栅极，MOS管N2的漏极连接施密特触发器SMT的输入端，MOS管N2的源极接地。

2.根据权利要求1所述的避免OVP误触发的DIM调光电路，其特征在于：线性电压转换电路中MOS管N7的漏极、MOS管P7的源极、MOS管P8的源极、MOS管P11的源极和MOS管P12的源极分别连接电源VCC，MOS管P7的漏极还连接MOS管P2的漏极，MOS管N7的栅极和MOS管N8的栅极分别连接MOS管N7的漏极，MOS管N7的源极和MOS管N8的源极分别接地，MOS管N8的漏极连接MOS管P7的漏极，MOS管P7的栅极和MOS管P8的栅极分别连接MOS管P7的漏极，MOS管P8的漏极通过电阻R4连接MOS管P9的漏极并通过电阻R5连接MOS管P10的漏极，MOS管P9的栅极连接基准电压VREF2，MOS管P9的源极连接MOS管N9的漏极，MOS管N9的源极接地，MOS管N9的栅极连接MOS管P9的源极，MOS管P10的栅极连接DIM信号，MOS管P10的源极连接MOS管N10的漏极，MOS管N10的栅极和MOS管N11的栅极分别连接MOS管P10的源极，MOS管N10的源极和MOS管N11的源极分别接地，MOS管N11的漏极连接MOS管P11的漏极，MOS管P11的栅极和MOS管P12的栅极分别连接MOS管P11的漏极，MOS管P12的漏极连接MOS管N12的漏极，MOS管N12的栅极连接使能信号EN，MOS管N12的源极通过电阻R3接地，MOS管N12的源极作为线性电压转换电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的避免OVP误触发的DIM调光电路，其特征在于：DIM控制模块包括比较器U31和比较器U32，比较器U31的同相输入端和比较器U32的同相输入端分别连接DIM信号，比较器U31的反相输入端连接1V基准电源，比较器U32的反相输入端连接3V基准电源，比较器U31的输出端输出SD信号，比较器U32的输出端通过非门输出CON信号。