[发明专利]发光器件及其制备方法和掩膜版

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括基板、底电极层、像素限定层、发光单元层和顶电极层，所述底电极层设于所述基板上，所述像素限定层设于所述基板上，且所述像素限定层围绕所述底电极层形成像素坑，所述底电极层至少部分暴露于所述像素坑中，所述发光单元层设于所述像素坑内且覆盖于所述底电极层上，所述顶电极层设于所述发光单元层上，且所述顶电极层与每个所述像素坑对应的区域形成至少两个相互间隔的子电极区。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述子电极区之间的间隔距离为20μm～50μm。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括遮光层，所述遮光层设于所述顶电极层上且覆盖所述子电极区之间的间隙。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述遮光层的阻抗大于10¹⁴Ω/cm，所述遮光层的光密度值大于3.9/μm，所述遮光层的厚度为0.5μm～2μm。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述顶电极层与每个所述像素坑对应的区域形成两个相互间隔的子电极区。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述顶电极层与每个所述像素坑对应的区域形成四个相互间隔的子电极区。

7.根据权利要求1～6任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光单元层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述像素限定层的厚度为0.5μm～2.5μm。

9.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成底电极层；

在所述基板上形成像素限定层，所述像素限定层围绕所述底电极层形成像素坑，所述底电极层至少部分暴露于所述像素坑中；

在所述像素坑内的所述底电极层上形成发光单元层；

在所述发光单元层上形成顶电极层，且使所述顶电极层与每个所述像素坑对应的区域形成至少两个相互间隔的子电极区。

10.一种掩膜版，用于制备权利要求1～8任一项所述的发光器件的顶电极层，其特征在于，所述掩膜版包括掩膜版主体及遮挡部，所述掩膜版主体设有蒸镀开口，所述遮挡部位于所述蒸镀开口内，且所述遮挡部的正投影至少部分位于所述像素坑内，以用于蒸镀时使所述顶电极层与每个所述像素坑对应的区域形成至少两个相互间隔的子电极区。