[发明专利]含有g-C3在审

专利信息
申请号: 201811319548.7 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN111155138A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 邹吉军;潘伦;祁洁;张香文;王莅 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/04
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵天月
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 含有 base sub
【权利要求书】:

1.一种复合电极,其特征在于,包括:

导电基体;

活性材料层,所述活性材料层形成在所述导电基体的至少一部分表面上,且所述活性材料包括掺杂有金属元素的钒酸铋,所述金属元素的价态高于所述钒酸铋中钒元素的价态;

助剂层,所述助剂层形成在活性材料层远离所述导电基体的表面上,且形成所述助剂层的材料包括氮化碳。

2.根据权利要求1所述的复合电极,其特征在于,基于所述活性材料层的总质量,所述金属元素的掺杂量为0.2-1wt%;

优选的,基于所述活性材料层的总质量,所述金属元素的掺杂量为0.6wt%。

3.根据权利要求1或者2所述的复合电极,其特征在于,所述金属元素包括钼。

4.根据权利要求1所述的复合电极,其特征在于,基于所述活性材料层和所述助剂层的总质量,所述助剂层的含量为0.5-5wt%;

任选地,基于所述活性材料层和所述助剂层的总质量,所述助剂层的含量为3wt%。

5.根据权利要求1或者4所述的复合电极,其特征在于,所述氮化碳为单层氮化碳。

6.一种制备权利要求1-5任一项所述的复合电极的方法,其特征在于,包括:

在导电基体的至少部分表面上形成活性材料层;

在所述活性材料层远离所述导电基体的表面上形成助剂层。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在导电基体的至少部分表面上形成活性材料层包括:

在所述导电基体的至少一部分表面上形成碘氧化铋;

将乙酰丙酮氧钒溶于第一溶剂中,得到第一混合液;

将所述第一混合液涂覆在所述碘氧化铋的表面上之后进行干燥、第一焙烧处理,得到基体层;

将钼盐溶于水中,得到第二混合液;

将所述第二混合液涂覆在所述基体层的表面上之后进行干燥、第二焙烧处理,

任选的,所述钼盐为钼酸铵、钼酸钠中的至少之一;

任选的,所述第一焙烧的温度为350-500℃,第一焙烧的时间为2-5h;

任选的,所述第二焙烧的温度为350-500℃,第一焙烧的时间为1-3h。

8.根据权利要求6或者7所述的方法,其特征在于,在所述活性材料层远离所述导电基体的表面上形成所述助剂层包括:

对尿素进行第三焙烧处理,得到氮化碳;

将所述氮化碳分散于第二溶剂中,得到分散液;

将所述分散液涂覆在所述活性材料层远离所述导电基体的表面上之后在惰性气氛条件下进行第四焙烧,

任选的,所述第三焙烧的温度为300-550℃,时间为1-6h;

任选的,所述第四焙烧的温度为300-400℃,时间为1-3h。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,将所述氮化碳分散于所述第二溶剂中包括:

将所述氮化碳放入所述第二溶剂中之后进行超声、静置处理;

任选的,所述超声的时间为10-24h;

任选的,所述静置的时间为2-5h。

10.一种权利要求1-5任一项所述的复合电极在光电催化中的用途。

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