[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201811319888.X | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109411336A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 鲁旭斋;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 紫外固化 介质层表面 碱性基团 光刻胶 衬底 光刻 酸碱 工艺过程 介质材料 刻蚀步骤 提升器件 制造工艺 涂敷 站脚 沉积 去除 | ||
1.一种光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底之上形成介质层，所述介质层表面具有碱性基团；
进行对所述介质层的紫外固化，以至少部分去除所述碱性基团；
在进行对所述介质层的紫外固化之后，在所述介质层上涂敷光刻胶。
2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述介质层的材料为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或碳氮化硅。
3.如权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述介质层为抗反射介质层。
4.如权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述介质层为接触刻蚀停止层，其厚度为
5.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻胶为包括光致产酸剂的正性光刻胶。
6.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在进行对所述介质层的紫外固化步骤中，所述紫外固化过程在50-500℃的温度下进行。
7.如权利要求1-6任一项所述的光刻方法，其特征在于，在进行对所述介质层的紫外固化步骤中，所述紫外固化过程在He、Ar、N2中的一种或几种气体作为保护气的环境下进行。
8.如权利要求7所述的光刻方法，其特征在于，所述保护气的气压范围为0.1-760Torr。
9.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述介质层为氮化硅材料，采用等离子增强化学气相沉积方法形成，沉积过程所采用的反应气包括SiH4、NH3和N2。
10.如权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，SiH4的流量为30-600sccm，NH3的流量为100-5000sccm，N2的流量为5000-20000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
