[发明专利]基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备

权利要求书

1.一种硅基锗光电探测器，其特征在于，包括：

光波导层、硅氧化层、锗氧化层、第一电极、第二电极、第三电极；

所述硅氧化层包括第一部分硅氧化层和第二部分硅氧化层，所述第二部分硅氧化层设置于所述光波导层之上，所述第一部分硅氧化层由所述第二部分硅氧化层向外延伸，所述锗氧化层设置于所述第二部分硅氧化层之上，所述第二电极设置于所述锗氧化层之上，所述第一电极和所述第三电极设置于所述光波导层之上，所述第一电极与所述第二电极平行且间隔设置，所述第三电极与所述第二电极平行且间隔设置，所述第一电极和所述第三电极分别设置于所述第二电极两侧；

所述第一电极与所述第二电极之间的间隔区域形成第一耦合区域，所述第三电极与所述第二电极之间的间隔区域形成第二耦合区域；

所述光波导层，用于接收经过第一部分硅氧化层的两束光的光信号并对所述两束光的光信号的传播方向进行引导，将其中一束光的传播方向引导至所述第一耦合区域，将其中另一束光的传播方向引导至所述第二耦合区域；其中，所述两束光为对入射光经功率分束后的两束光；

所述第一电极与所述第二电极之间形成的电场用于对所述第一耦合区域的其中一束光进行耦合，所述第三电极与所述第二电极之间形成的电场用于对所述第二耦合区域的其中另一束光进行耦合，使所述两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势。

2.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述光波导层的构成材料是硅基材料。

3.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述硅氧化层的构成材料是二氧化硅。

4.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述锗氧化层的构成材料是二氧化锗。

5.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极和所述第三电极是相同的电极。

6.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极和所述第三电极间距平行设置。

7.如权利要求1所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，所述两束光的功率相同。

8.一种基于硅基锗光电探测器的光电探测方法，所述硅基锗光电探测器包括如权利要求1至7任意一项所述的硅基锗光电探测器，其特征在于，包括：

dB分束器在硅基波导的输入端将入射光的功率分束为两束光，将所述两束光同时入射到所述硅基锗光电探测器；

所述硅基锗光电探测器对所述两束光进行耦合，使所述两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势。

9.一种基于硅基锗光电探测器的光电探测系统，其特征在于，包括：

dB分束器、硅基锗光电探测器；其中，所述硅基锗光电探测器包括如权利要求1至7任意一项所述的硅基锗光电探测器；

所述dB分束器，用于在硅基波导的输入端将入射光的功率分束为两束光，将所述两束光同时入射到硅基锗光电探测器；

所述硅基锗光电探测器，用于对所述两束光进行耦合，使所述两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势。