[发明专利]隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201811320069.7 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109560128B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 施敏;柯亚威;张威;朱友华 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L29/47 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 226019*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，所述源区和所述漏区之间被所述沟道区隔离开，所述源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；
其中，所述晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置；
所述源区为P型重掺杂且所述漏区为N型重掺杂，或者所述源区为N型重掺杂且所述漏区为P型重掺杂；所述沟道区为N型弱掺杂或者P型弱掺杂；
所述晶体管还包括浮空设置的金属材料的第二肖特基电极，所述第二肖特基电极与所述漏区形成肖特基接触，且所述第二肖特基电极设置于靠近所述漏电极的位置。
2.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述沟道区的上侧设置第一栅介质层，所述第一栅介质层的上侧设置第一栅电极，所述沟道区的下侧设置第二栅介质层，所述第二栅介质层的下侧设置第二栅电极，所述第一栅电极和第二栅电极具有相同的功函数，第一栅电极、第一栅介质层、沟道区、第二栅介质层、第二栅电极五者的两端均对齐，所述源区和漏区分设在所述沟道区的左右两侧，所述源电极设置在所述源区的左侧，所述漏电极设置在所述漏区的右侧；
其中，所述第一肖特基电极的数量为两个，且两个所述第一肖特基电极分设在所述源区的上下两侧。
3.根据权利要求1或2所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源区的掺杂浓度为1×1019cm-3，所述沟道区的掺杂浓度为1×1016cm-3，所述漏区的掺杂浓度为5×1018cm-3。
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