[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

n-型层，设置在衬底的第一表面处；

p-型区域和p+型区域，设置在所述n-型层的顶部处；

第一电极，设置在所述p-型区域和所述p+型区域上；以及

第二电极，设置在衬底的第二表面处，

其中，所述第一电极包括设置在所述p-型区域上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，并且

其中，所述第一金属层与所述p-型区域连续接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述p+型区域的离子掺杂浓度高于所述p-型区域的离子掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述p-型区域和所述p+型区域彼此接触。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述衬底和第一电极之间的所述p+型区域的厚度比在所述衬底和第一电极之间的所述p-型区域的厚度厚。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述第一金属层包括肖特基金属，并且

其中，所述第二金属层和第二电极包括欧姆金属。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一金属层设置在所述p+型区域上并在所述p+型区域上延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一金属层与所述p-型区域接触，以在所述第一金属层与所述p-型区域之间的边界表面中形成肖特基结，并且所述第一金属层与所述p+型区域接触，以在所述第一金属层与所述p+型区域之间的边界表面中形成欧姆结。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二金属层设置在所述p+型区域上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中，所述第一金属层与所述p-型区域接触，以在所述第一金属层与所述p-型区域之间的边界表面中形成肖特基结，并且

其中，所述第二金属层与所述p+型区域接触，以在所述第二金属层与所述p+型区域之间的边界表面中形成欧姆结。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述衬底是n+型碳化硅衬底。

11.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

在衬底的第一表面中形成n-型层；

在所述n-型层的顶部中形成p-型区域和p+型区域；

在所述p-型区域和所述p+型区域上形成第一电极；并且

在所述衬底的第二表面中形成第二电极，

其中，所述第一电极包括设置在所述p-型区域上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，并且

其中，所述第一金属层与所述p-型区域连续接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述p+型区域的离子掺杂浓度高于所述p-型区域的离子掺杂浓度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述p-型区域和所述p+型区域彼此接触。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述衬底和所述第一电极之间的p+型区域的厚度比在所述衬底和所述第一电极之间的p-型区域的厚度厚。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中，所述第一金属层包括肖特基金属，并且

其中，所述第二金属层和所述第二电极包括欧姆金属。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一金属层设置在所述p+型区域上并在所述p+型区域上延伸。