[发明专利]一种高稳定性MEMS谐振器件在审
| 申请号： | 201811320129.5 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109467041A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 林日乐;蒋昭兴;李文蕴;谢佳维;王伟;文路 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 黄河 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片支架 外壳底座 谐振芯片 谐振器件 热应力 下支撑 形变 高稳定性 上支撑脚 环境适应性 热膨胀系数 谐振频率 有效减少 横梁 减小 下端 变形 传递 保证 | ||
1.一种高稳定性MEMS谐振器件，包括谐振芯片及封装外壳，所述封装外壳包括敞口向上的外壳底座及用于密封外壳底座的盖帽，谐振芯片通过引线与封装外壳内壁电连接，其特征在于，还包括与谐振芯片热膨胀系数相同的芯片支架，所述芯片支架包括横梁、上支撑脚及下支撑脚，其中，两上支撑脚沿横梁长度方向平行排布、竖向设置在横梁上侧，两下支撑脚沿横梁长度方向平行排布、竖向设置在横梁下侧，芯片支架通过下支撑脚安装在封装外壳的内底面上，所述谐振芯片包括谐振梁及谐振梁两侧的谐振芯片固定部，谐振芯片的两谐振芯片固定部分别与芯片支架的两上支撑脚固定连接。
2.如权利要求1所述的高稳定性MEMS谐振器件，其特征在于，谐振芯片固定部的下表面与谐振梁的下表面齐平，谐振芯片通过两谐振芯片固定部的下表面分别与芯片支架的两上支撑脚固定相连。
3.如权利要求1所述的高稳定性MEMS谐振器件，其特征在于，芯片支架的横梁两端向上延伸形成两上支撑脚，芯片支架的横梁两端向下延伸形成两下支撑脚，芯片支架呈H型。
4.如权利要求1所述的高稳定性MEMS谐振器件，其特征在于，芯片支架的横梁两端向上延伸形成两上支撑脚，芯片支架的横梁下侧向下延伸形成两下支撑脚，两下支撑脚间的距离小于两上支撑脚间的距离。
5.如权利要求1所述的高稳定性MEMS谐振器件，其特征在于，横梁长度与谐振芯片的长度相匹配，横梁厚度为200～600微米，上支撑脚在竖直方向的高度为50～300微米，下支撑脚在竖直方向的高度为50～300微米。
6.如权利要求1所述的高稳定性MEMS谐振器件，其特征在于，谐振芯片固定部的下表面通过贴片胶粘接在上支撑脚的上端面上。
7.如权利要求1所述的高稳定性MEMS谐振器件，其特征在于，下支撑脚的下表面通过贴片胶粘接在封装外壳的内底面上，且贴片胶周向包裹下支撑脚侧面的下端形成加固连接部。
8.如权利要求1所述的高稳定性MEMS谐振器件，其特征在于，谐振芯片与谐振支架采用相同材料制成。
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