[发明专利]电磁波屏蔽膜及其制备方法

说明书

本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种电磁波屏蔽膜的制备方法，包括：获取载体层，在所述载体层的一表面制备保护层；在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层，其中，所述金属叠层包括依次层叠设置在所述载体层远离所述保护层的表面的第一金属保护层、金属功能层和第二金属保护层。本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜的制备方法，采用涂覆方法在载体层一侧形成保护层，再采用真空溅射方法在载体层的另一侧形成金属叠层，真空溅射可以通过控制溅射时间、速度控制膜层厚度，实现形成金属叠层薄膜，减少生产原料的使用。且真空溅射形成的金属叠层，成膜速度快，膜层均匀，稳定性好，膜层不易脱落，制备工艺简单。

技术领域

本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种电磁波屏蔽膜及其制备方法。

背景技术

随着电子工业的迅速发展，电子产品逐渐向小型化、轻量化、便携化发展、组装高密度化发展，极大地推动了电子元器件的发展，半导体芯片的集成度越来越高，电子元器件单位面积上输入输出端口(I/O)数量越来越多。集成度的提高对电子封装技术提出了更高的要求，要求电子元器件更薄，导通性更好。另外，为了避免电磁辐射导致的信号干扰以及对人体健康的威胁，要求电子产品有更好的电磁屏蔽效能。因此，在电子元件的线路上会大量使用电磁屏蔽材料。目前，电磁屏蔽材料主要有导电型、填充型、本征型以及吸波型，制备方法主要有贴金属箔、溅射镀、电镀、化学镀和涂布电导材料等方法。电磁屏蔽膜是主要形式，随着柔性线路板布线线路越来越密集，对电磁屏蔽膜的要求越来越高。

传统地，电磁屏蔽膜主要包括绝缘层、金属层、导电胶层等，结构主要有：绝缘层表面形成全方位的导电胶层；绝缘层表面形成金属层，再在金属层表面形成导电胶层；载体层表面形成绝缘层表面，再在绝缘层表面形成金属层，再在金属层表面形成导电胶层等结构。为达到屏蔽效果往往会使用大量的贵金属，导致屏蔽膜厚度较大，透光性降低，增加了制造成本，同时也影响了屏蔽膜在电子元件的线路中的应用。另外，制造工艺复杂，膜层的均匀度和表面平整度难把控，影响了电磁屏蔽膜的导通性能和电磁屏蔽性能。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种电磁波屏蔽膜的制备方法，旨在解决现有难制备电磁屏蔽膜薄膜，而膜层过厚影响屏蔽膜的透过率和导通性能的技术问题。

本发明实施例的另一目的在于提供一种电磁波屏蔽膜。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种电磁波屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

获取载体层，在所述载体层的一表面制备保护层；

在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层，

其中，所述金属叠层包括依次层叠设置在所述载体层远离所述保护层的表面的第一金属保护层、金属功能层和第二金属保护层。

优选地，所述在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层的方法为：

在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射第一金属靶材，形成第一金属保护层，所述第一金属靶材选自钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶中的至少一种；

在所述第一金属保护层远离所述载体层的表面真空溅射金属靶材，形成金属功能层，所述金属靶材选自银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶中的至少一种；

在所述金属功能层远离所述第一金属保护层表面真空溅射第二金属靶材，形成第二金属保护层，所述第二金属靶材选自钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶中的至少一种。

优选地，所述真空溅射的真空度为1*10^-3Pa以下。

优选地，所述银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的纯度为3N、4N、或者5N，所述银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的真空溅射的速度为3～7m/min；和/或，