[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成透明导电薄膜(101)和覆盖所述透明导电薄膜(101)的金属薄膜(102)；

步骤S2、在所述金属薄膜(102)上覆盖光阻薄膜(103)；

步骤S3、对所述光阻薄膜(103)进行图案化，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极(3)的区域以外的光阻薄膜(103)，得到位于待形成栅极的区域上的第一光阻段(104)及位于待形成阵列基板公共电极的区域上的第二光阻段(105)，且所述第一光阻段(104)的厚度大于第二光阻段(105)；

步骤S4、以第一光阻段(104)和第二光阻段(105)为遮挡，对所述透明导电薄膜(101)和金属薄膜(102)进行蚀刻，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极的区域以外的透明导电薄膜(101)和金属薄膜(102)；

步骤S5、去除第二光阻段(105)同时减薄第一光阻段(104)，以剩余的第一光阻段(104)为遮挡对金属薄膜(102)进行蚀刻，去除待形成阵列基板公共电极的区域上金属薄膜(102)，得到阵列基板公共电极(3)；

步骤S6、去除剩余的第一光阻段(104)，得到栅极(2)；

步骤S7、在所述衬底基板(1)、栅极(2)及阵列基板公共电极(3)上形成栅极绝缘层(4)，在所述栅极(2)上的栅极绝缘层(4)上形成有源层(5)，在所述有源层(5)上形成分别位于所述有源层(5)的两端的源极(6)和漏极(7)，在所述栅极绝缘层(4)、有源层(5)、源极(6)和漏极(7)上形成钝化层(8)，并在所述钝化层(8)上形成像素电极(9)。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中通过一道半色调光罩或灰阶光罩图案化所述光阻薄膜(103)。

3.如权利要求1所述的的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中对所述透明导电薄膜(101)和金属薄膜(102)进行蚀刻的过程包括：

进行第一次蚀刻，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极(3)的区域以外的金属薄膜(102)；

进行第二次蚀刻，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极(3)的区域以外的透明导电薄膜(101)。

4.如权利要求3所述的的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次蚀刻中，采用铜酸蚀刻所述金属薄膜(102)；所述第二次蚀刻中，采用草酸蚀刻所述透明导电薄膜(101)。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中采用双氧水系铜酸蚀刻所述金属薄膜(102)，以去除待形成阵列基板公共电极的区域上金属薄膜(102)同时保留待形成阵列基板公共电极的区域上的透明导电薄膜(101)。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中通过氧气等离子工艺对所述第二光阻段(105)和第一光阻段(104)进行灰化，以去除第二光阻段(105)同时减薄第一光阻段(104)。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S6采用光阻剥离液去除剩余的第一光阻段(104)。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电薄膜(101)的材料为氧化铟锡。