[发明专利]一种用于低压储能装置大功率升压的推挽正激变换器在审
申请号: | 201811321016.7 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109378973A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 张锋;张艳 | 申请(专利权)人: | 合肥司耀电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/337 | 分类号: | H02M3/337 |
代理公司: | 南京中高专利代理有限公司 32333 | 代理人: | 祝进 |
地址: | 230088 安徽省合肥市蜀*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 推挽正激变换器 低压储能装置 升压 一号开关 推挽电路 开关管 一号二极管 电磁干扰 电压尖峰 防止损坏 高频特性 输入电流 陶瓷电容 无感电容 直流输入 箝位电容 电容 无极性 并联 磁芯 脉动 偏磁 推挽 选型 电路 电网 | ||
本发明公开了一种用于低压储能装置大功率升压的推挽正激变换器,包括推挽电路和推挽正激电路,所述推挽电路包括一号开关管Q1,且一号开关管Q1的一侧设置有一号二极管D1,所述一号开关管Q1的另一侧靠近中间位置固定安装有三号箝位电容C3。本发明所述的一种用于低压储能装置大功率升压的推挽正激变换器,能够抑制开关管的电压尖峰,减少能量的损耗,同时减少输入电流的脉动,降低了对直流输入电网的电磁干扰,并且能够抑制磁芯产生偏磁,防止损坏开关管,而且采用多个陶瓷电容并联,并经过进行精心设计,使电容Co具有高频特性好、无极性、容量大特点的无感电容,达到选型要求,带来更好的使用前景。
技术领域
本发明涉及推挽正激变换器领域,特别涉及一种用于低压储能装置大功率升压的推挽正激变换器。
背景技术
目前,升压电源主电路通常采用两种拓扑,分别为全桥拓扑和推挽拓扑,全桥拓扑可实现谐振软开关,其技术较为成熟,推挽拓扑为升压电源最常用的拓扑结构。最适用于低压大电流电路,推挽变换器电路结构简单,其高频变压器磁芯亦是双向磁化,而且对变压器的绕制要求较高,必须具有良好的对称性。变压器的磁芯偏磁对器件的参数的一致性和驱动电路驱动信号脉宽的一致性提出了较高的要求,同时控制方式也要求采用电流型控制方案,增加电路的复杂性和难度。但是高频变压器上直接施加输入电压,因而只用两个功率开关管便能获得较大的功率输出,而且两路驱动电路无需隔离,因此驱动电路可以简化。这是推挽电路最明显的优点;现有推挽电路在使用时存在一定的弊端,首先,在开关管关断时原边线圈的漏感能量释放困难,而且,会在开关管上形成关断尖峰,易导致开关管损坏,并且,器件或电路的不对称会引起磁芯偏磁,导致磁芯饱和,为此,我们提出一种用于低压储能装置大功率升压的推挽正激变换器。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种用于低压储能装置大功率升压的推挽正激变换器,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种用于低压储能装置大功率升压的推挽正激变换器,包括推挽电路和推挽正激电路,所述推挽电路包括一号开关管Q1,且一号开关管Q1的一侧设置有一号二极管D1,所述一号开关管Q1的另一侧靠近中间位置固定安装有三号箝位电容C3,所述一号二极管D1的一侧固定安装有一号箝位电容C1,且一号箝位电容C1的一侧固定安装有二号高变初级线圈Wp2,所述一号开关管Q1的上方设置有一号高变初级线圈Wp1,且一号高变初级线圈Wp1的一侧设置有二号开关管Q2,所述二号开关管Q2的一侧设置有二号二极管D2,且二号二极管D2的一侧设置有二号箝位电容C2,所述推挽电路的中间固定安装有三号高变初级线圈Ws,且三号高变初级线圈Ws的一侧靠近上端位置设置有三号二极管D3,所述三号高变初级线圈Ws的一侧靠近下端位置设置有四号二极管D4,所述三号二极管D3的一侧设置有五号二极管D5,所述四号二极管D4的一侧设置有六号二极管D6,且六号二极管D6的一侧靠近中间位置固定安装有四号箝位电容C4,所述一号高变初级线圈Wp1与二号高变初级线圈Wp2之间设置有五号箝位电容Co。
优选的,所述推挽电路的一侧设置电源正输出端V0,且推挽电路的另一侧设置有电源负输出端Vi。
优选的,所述一号高变初级线圈Wp1与二号高变初级线圈Wp2的匝数相同。
优选的,所述五号箝位电容Co为无极性电容。
优选的,所述推挽正激变换器的内部设置有磁芯。
优选的,所述五号二极管D5的一侧靠近上端位置设置有电感L1。
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