[发明专利]用于解决电迁移的布局构造

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体CMOS器件，包括各自具有p型金属氧化物半导体PMOS漏极和PMOS栅极的多个PMOS晶体管以及各自具有n型金属氧化物半导体NMOS漏极和NMOS栅极的多个NMOS晶体管，每个PMOS栅极和NMOS栅极在第一方向延伸，所述CMOS器件包括：

互连层面上将第一多个PMOS漏极连接在一起的第一互连，所述第一互连在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；

所述互连层面上将第二多个PMOS漏极连接在一起的第二互连，所述第二多个PMOS漏极不同于所述第一多个PMOS漏极，所述第一互连和所述第二互连在所述互连层面上断开，所述第二互连在所述第二方向上延伸；

所述互连层面上将第一多个NMOS漏极连接在一起的第三互连，所述第三互连在所述第二方向上延伸；以及

所述互连层面上将第二多个NMOS漏极连接在一起的第四互连，所述第四互连在所述第二方向上延伸，所述第二多个NMOS漏极不同于所述第一多个NMOS漏极，所述第三互连和所述第四互连在所述互连层面上断开；

其中所述互连层面上将所述第一多个PMOS漏极耦合在一起的所述第一互连和将所述第二多个PMOS漏极耦合在一起的所述第二互连，以及所述互连层面上将所述第一多个NMOS漏极耦合在一起的所述第三互连和将所述第二多个NMOS漏极耦合在一起的所述第四互连通过至少一个其它互连层面被耦合在一起，

其中所述第一互连和所述第三互连在所述互连层面中被连接。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述第二互连和所述第四互连在所述互连层面中被连接。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述第一互连、所述第二互连、所述第三互连、和所述第四互连各自在长度上小于2μm。

4.如权利要求1所述的器件，进一步包括：

第二互连层面上的第五互连，所述第五互连将所述第一互连和所述第二互连耦合在一起；以及

所述第二互连层面上的第六互连，所述第六互连将所述第三互连和所述第四互连耦合在一起。

5.如权利要求4所述的器件，其中所述第五互连和所述第六互连各自在长度上小于2μm。

6.如权利要求4所述的器件，进一步包括在第三互连层面上的第七互连，所述第七互连将所述第五互连和所述第六互连耦合在一起。

7.如权利要求6所述的器件，其中所述器件的输出被连接到所述第七互连。

8.如权利要求1所述的器件，其中所述CMOS器件是反相器，所述PMOS晶体管各自具有PMOS栅极和PMOS源极，所述NMOS晶体管各自具有NMOS栅极和NMOS源极，所述NMOS晶体管的所述NMOS源极被耦合在一起，所述PMOS晶体管的所述PMOS源极被耦合在一起，所述PMOS晶体管的所述PMOS栅极与所述NMOS晶体管的所述NMOS栅极被耦合在一起。

9.如权利要求1所述的器件，进一步包括：

所述互连层面上将所述PMOS漏极的不同子集连接在一起的第一组互连，所述第一组互连包括所述第一互连、所述第二互连、以及一个或多个附加互连，所述第一组互连中的每一个互连在所述互连层面上与所述第一组互连中的其它互连断开；以及

所述互连层面上将所述NMOS漏极的不同子集连接在一起的第二组互连，所述第二组互连包括所述第三互连、所述第四互连、以及一个或多个附加互连，所述第二组互连中的每一个互连在所述互连层面上与所述第二组互连中的其它互连断开。

10.如权利要求9所述的器件，其中所述第一组互连和所述第二组互连中的每个互连在长度上小于2μm。