[发明专利]小直径晶片的制造方法

说明书

提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且一个面被加工成镜面的晶片的一个面上包覆第1保护部件，在晶片的另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。

技术领域

本发明涉及小直径晶片的制造方法，从一张晶片制造出直径较小的多个小直径晶片。

背景技术

在以移动电话、个人计算机为代表的电子设备中，包含集成电路等器件的器件芯片成为必须的构成要素。器件芯片例如如下得到：利用多条分割预定线(间隔道)对由硅等半导体材料形成的晶片的正面侧进行划分，在各区域形成器件之后，沿着该分割预定线对晶片进行分割，由此得到器件芯片。

近年来，为了提高器件芯片的生产率，使用直径为12英寸(约300mm)以上的晶片(以下称为大口径晶片)生产器件芯片的方式成为主流。另一方面，在对大口径晶片进行加工而生产器件芯片时，需要与其直径相对应的大型的装置。由此，例如当在生产少量的器件芯片时使用大口径晶片时，有时反而会使器件芯片的价格变高。

针对该问题，研究了如下的新的生产系统：使用直径为3英寸(约75mm)左右的直径较小的晶片(以下称为小直径晶片)来生产少量的器件芯片。在该生产系统中，与小直径晶片的尺寸相应地，各种装置也小型化，因此能够实现生产系统的低成本化、省空间化。另外，在该生产系统中使用的小直径晶片例如通过从上述的大口径晶片切出的方法进行制造(例如，参照专利文献1)。

用于制造小直径晶片的具体的顺序例如如下所述。首先进行磨削工序，对大口径晶片的背面侧进行磨削，使该大口径晶片薄化至期望的厚度。接着，利用激光束对已薄化的大口径晶片进行加工而切出多个小直径晶片。然后，对所切出的小直径晶片的外周部进行倒角。另外，对已倒角的小直径晶片的正面进行蚀刻和抛光而加工成镜面。之后对该小直径晶片进行清洗。

专利文献1：日本特开2014-110411号公报

但是，在上述那样的小直径晶片的制造方法中，需要一张一张地对所切出的多个小直径晶片进行抛光而加工成镜面，因此无法充分提高生产率。另外，在对小直径晶片进行加工时，也会担心在其正面上产生刮伤或附着异物而降低小直径晶片的品质。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。

根据本发明的一个方式，提供小直径晶片的制造方法，其中，该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且该一个面被加工成镜面的晶片的该一个面上包覆第1保护部件，在该晶片的该另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有该第1保护部件和该第2保护部件的该晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对该小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将该第1保护部件和该第2保护部件从该小直径晶片去除。

在本发明的一个方式中，也可以是，在所述切出工序中，对所述晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，从而切出多个所述小直径晶片。

另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在所述切出工序中，按照将对于所述晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部的方式对该晶片照射该激光束而在该晶片的内部形成改质层，从而切出多个所述小直径晶片。

另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在所述切出工序中，通过取芯钻挖通所述晶片，从而切出多个所述小直径晶片。