[发明专利]MOS管阈值电压的WAT测试方法有效

专利信息
申请号: 201811323081.3 申请日: 2018-11-08
公开(公告)号: CN109507560B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 肖尚刚;莫保章 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 栾美洁
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: mos 阈值 电压 wat 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种MOS管阈值电压的WAT测试方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1,将一片晶圆划分为N个测试单元,N为自然数且N≥2;

步骤S2,对第一个测试单元的n个MOS管的阈值电压依次进行测试,n为自然数且n≥1,所测试MOS管的漏端施加设定电压,源端和基体接0V,栅极从指定的起始扫描电压开始并按设定的步进电压进行扫描,每一步扫描都测试漏端电流;

当栅极电压为起始扫描电压且对应的漏端电流未达到设定的目标电流值时,在起始扫描电压的基础上逐次增加设定的步进电压,如果增加设定的步进电压后,栅极电压已大于设定的最大电压,则所测试MOS管的阈值电压为ERROR,若栅极电压未达到设定的最大电压,以漏端电流首次达到设定的目标电流值所对应的栅极电压作为所测试MOS管的阈值电压;

当栅极电压为起始扫描电压且对应的漏端电流达到设定的目标电流值时,在起始扫描电压的基础上逐次减小设定的步进电压,以漏端电流首次小于设定的目标电流值所对应的栅极电压与设定的步进电压之和作为所测试MOS管的阈值电压;

步骤S3,对下一个测试单元的所有MOS管的阈值电压依次进行测试,所测试MOS管的漏端施加设定电压,源端和基体接0V,栅极采用前一个测试单元中相同MOS管的阈值电压为起始扫描电压并按设定的步进电压进行扫描,每一步扫描都测试漏端电流;

当栅极电压为起始扫描电压且对应的漏端电流未达到设定的目标电流值时,在起始扫描电压的基础上逐次增加设定的步进电压,如果增加设定的步进电压后,栅极电压已大于设定的最大电压,则所测试MOS管的阈值电压为ERROR,若栅极电压未达到设定的最大电压,以漏端电流首次达到设定的目标电流值所对应的栅极电压作为所测试MOS管的阈值电压;

当栅极电压为起始扫描电压且对应的漏端电流达到设定的目标电流值时,在起始扫描电压的基础上逐次减小设定的步进电压,以漏端电流首次小于设定的目标电流值所对应的栅极电压与设定的步进电压之和作为所测试的阈值电压;

步骤S4,重复步骤S3,直至所有测试单元的MOS管阈值电压的WAT测试结束。

2.根据权利要求1所述的MOS管阈值电压的WAT测试方法,其特征在于,在步骤S3中,如果被测试MOS管栅极的起始扫描电压采用的前一个测试单元中相同MOS管的阈值电压为ERROR,则按照测试单元的测试顺序依次向前查找阈值电压不是ERROR且与所测试MOS管相同的MOS管,以该MOS管的阈值电压作为起始扫描电压。

3.根据权利要求2所述的MOS管阈值电压的WAT测试方法,其特征在于,如果被测试单元之前的所有测试单元中与被测试MOS管相同的MOS管的阈值电压均为ERROR,则被测试MOS管的栅极从指定的起始扫描电压开始并按设定的步进电压进行扫描。

4.根据权利要求1所述的MOS管阈值电压的WAT测试方法,其特征在于,在步骤S1中,每个测试单元的组成、结构及测试项目是相同的。

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