[发明专利]采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元

权利要求书

1.一种采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，包括反熔断单元和选择晶体管，所述反熔断单元和选择晶体管均形成于衬底上，所述衬底中形成有绝缘层和N型深掺杂阱区，所述绝缘层位于N型深掺杂阱区上；

所述反熔断单元包括编程栅极和编程栅极绝缘介电层，所述编程栅极形成于所述衬底上，所述编程栅极绝缘介电层形成于所述编程栅极和所述衬底之间且编程栅极绝缘介电层下方的衬底中形成有一第一掺杂区，所述编程栅极的相对两侧的衬底中形成有一第二掺杂区和一浅沟槽隔离结构；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均位于所述绝缘层上方；所述编程栅极、所述编程栅极绝缘介电层与所述第二掺杂区构成一等效电容器；

所述选择晶体管包括选择栅极和选择栅极绝缘介电层，所述选择栅极形成于所述衬底上，所述选择栅极绝缘介电层形成于所述选择栅极和所述衬底之间且选择栅极绝缘介电层下方的衬底中形成有N型掺杂阱区，所述选择栅极的相对两侧的衬底中形成有所述第二掺杂区和一第三掺杂区，所述第三掺杂区和所述N型掺杂阱区均位于所述绝缘层上方，所述选择晶体管和所述反熔断单元共用第二掺杂区，且所述第三掺杂区和第二掺杂区均为P型掺杂，所述N型掺杂阱区和第三掺杂区及第二掺杂区之间的组合形成一个PMOS器件。

2.根据权利要求1所述的采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，所述第一掺杂区为P型掺杂或N型掺杂。

3.根据权利要求1所述的采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，所述N型掺杂阱区、所述衬底绝缘层、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区和所述浅沟槽隔离结构均位于所述N型深掺杂阱区内。

4.根据权利要求1所述的采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，所述第三掺杂区远离所述选择栅极的一侧的衬底中形成有浅沟槽隔离结构。

5.根据权利要求1所述的采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，所述选择栅极垂直覆盖于所述衬底中的部分有源区，所述编程栅极垂直覆盖于另一部分有源区，所述选择栅极与所述编程栅极共用同一有源区。

6.根据权利要求5所述的采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，所述有源区靠近选择栅极的一端设有接触孔，所述接触孔电性连接位线。

7.根据权利要求5所述的采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，所述第一掺杂区的宽度大于所述有源区的宽度，且所述第一掺杂区远离选择栅极的一侧延伸至有源区靠近编程栅极的一端的外侧。

8.根据权利要求1所述的采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，所述衬底为P型掺杂或N型掺杂。