[发明专利]晶圆薄膜量测方法及装置

权利要求书

1.一种晶圆薄膜量测方法，包括以下步骤：

一光学量测步骤，使一量测装置发射一入射光至一标准品的一量测位置，并接收由该量测位置所反射的反射光的一第一光学数据，该标准品为一个薄膜厚度已知的晶圆成品；

一参数建立步骤，使该量测装置由该反射光的该第一光学数据，参照该已知的薄膜厚度建立参数模型；

一膜厚运算步骤，使该量测装置对一与该标准品具有相同工艺的待测品进行量测，并将量测到的一第二光学数据导入该参数模型中，以运算该待测品的薄膜厚度。

2.如权利要求1所述的晶圆薄膜量测方法，其中，还包含一个在该光学量测步骤之前的位置建立步骤，使该量测装置记录该标准品的一预设位置的座标以建立该量测位置。

3.如权利要求2所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该位置建立步骤借由该量测装置的一第一取像单元进行该量测位置的对位；该光学量测步骤借由该量测装置的一第二取像单元进行该量测位置的该第一或第二光学数据的接收。

4.如权利要求3所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该第一取像单元的取像倍率小于该第二取像单元。

5.如权利要求3所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该第一取像单元的取像视野大于该第二取像单元。

6.如权利要求1所述的晶圆薄膜量测方法，其中，还包含一个在该膜厚运算步骤之后的结果输出步骤，使该量测装置在运算出该待测品的薄膜厚度后，以一显示单元显示该薄膜厚度的信息。

7.如权利要求1所述的晶圆薄膜量测方法，其中，还包含一个在该膜厚运算步骤之后的结果输出步骤，使该量测装置在运算出该待测品的薄膜厚度后，输出该薄膜厚度的信息至上一工艺的设备。

8.如权利要求7所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该上一工艺的设备包括平坦化工艺设备、镀膜工艺设备。

9.一种晶圆薄膜量测方法，包括：

以一量测装置对一个薄膜厚度已知的晶圆成品的标准品进行光学量测，取得一第一光学数据；

以该量测装置对一晶圆待测品执行量测，以取得一第二光学数据；

将该第二光学数据导入依该第一光学数据所建立的参数模型，以取得该晶圆待测品的薄膜厚度。

10.如权利要求9所述的晶圆薄膜量测方法，其中，对该标准品进行光学量测时，可对该标准品表面上对应各不同图案化结构的不同区域的多个预设位置进行对位，并记录该多个预设位置的座标，以在该标准品上建立多个量测位置，并执行在这些所建立多个量测位置相对的该待测品上对应位置进行量测，以取得这些不同预设位置的各第二光学数据。

11.如权利要求1或9中任一权利要求所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该标准品与该待测品同为经历蚀刻与平坦化工艺后的具有图案化结构的晶圆。

12.如权利要求1或9中任一权利要求所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该标准品与该待测品同为经历镀膜工艺后的晶圆。

13.如权利要求1或9中任一权利要求所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该第一、二光学数据为光谱值。

14.如权利要求1或9中任一权利要求所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该参数模型包括一光学参数，该光学参数可为量测多个标准品所得知的多个第一光学数据，与这些已知标准品晶圆薄膜厚度所计算出的光学参数的平均值。

15.如权利要求14所述的晶圆薄膜量测方法，其中，该光学参数包括材料折射系数与材料吸收系数的综合。

16.一种晶圆薄膜量测装置，包括：用以执行如权利要求1至15中任一权利要求所述的晶圆薄膜量测方法的装置。