[发明专利]具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201811324344.2 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109524474B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;李涛;仝宜波;朱顺威;胡梅;赵玥阳;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安瀚汇专利代理事务所(普通合伙) 61279 | 代理人： | 汪重庆 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 边缘 部分 掺杂 sic 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的上表面两侧设有源极帽层(4)和漏极帽层(5)，所述源极帽层(4)上表面设有源电极(6)，漏极帽层(5)上表面设有漏电极(7)，N型沟道层(3)顶部且靠近源极帽层(4)的一侧设有栅电极(8)，其特征在于：在N型沟道层(3)顶部且位于部分栅电极(8)的栅下和部分栅漏间形成轻掺杂区(9)，所述轻掺杂区(9)以栅电极(8)漏侧的栅边缘的垂线为对称轴呈轴对称结构。
2.根据权利要求1所述的具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其特征在于：所述轻掺杂区(9)的深度为0.1μm，长度为0.3μm，掺杂浓度为3×1016cm-3。
3.根据权利要求1所述的具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其特征在于：所述轻掺杂区(9)位于栅电极(8)的栅下长度为0.15μm，栅漏下长度为0.15μm。
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