[发明专利]射频开关电路

说明书

一种射频开关电路，其包含第一二极管、第二二极管、第一电感、第二电感、第一电容和一第二电容。第一二极管的阴极端用于接收第一参考电压。第二二极管的阴极端用于接收第一参考电压。第一电感的第一端耦接于第一二极管的阳极端，第一电感的第二端用于接收第一控制电压。第二电感的第一端耦接于第二二极管的阳极端，第二电感的第二端用于接收第二控制电压。第一电容耦接于第一电感的第一端。第二电容耦接于第二电感的第一端。其中，当第一控制电压小于第一参考电压时，第一二极管处于关断状态，当第二控制电压小于第一参考电压时，第二二极管处于关断状态。

技术领域

本发明涉及一种开关电路，尤其涉及一种可用于切换射频信号的射频开关电路。

背景技术

现今的通信相关电路中常常搭配射频开关芯片，用来在不同频段的信号之间切换，或是于信号接收和发射端之间切换。然而，现今的射频开关芯片无法有效降低其内部元件产生的谐波信号的强度，且各厂家产品的尺寸不同，无法互相替代。

图1为现有的射频开关芯片100简化后的功能方块图。射频开关芯片100包含第一开关110、第二开关120、第三开关130、第四开关140、控制电路150、封装外壳160、第一信号引脚RF1、第二信号引脚RF2和共同引脚RFC，且可用于切换射频(Radio frequency)信号的传递路径。例如，控制电路150在外部电压V1为高电平时，会将第一开关110和第四开关140切换为导通状态，并将第二开关120和第三开关130切换为关断状态。如此一来，射频信号便只能经由第一开关110，于第一信号引脚RF1和共同引脚RFC之间传递。另一方面，当外部电压V1为低电平时，控制电路150会将第一开关110和第四开关140切换为关断状态，并将第二开关120和第三开关130切换为导通状态。如此一来，射频信号便只能经由第二开关120，于第二信号引脚RF2和共同引脚RFC之间传递。

通过上述的运作，射频开关芯片100能够达到切换射频信号的传递路径的功能。然而，由于封装外壳160的限制，射频开关芯片100的尺寸和形状无法变更，使得周边电路需迁就射频开关芯片100进行设计。并且，射频开关芯片100无法降低第一至第四开关110～140于关断时的漏电流，使得射频开关芯片100内部会产生强度相当可观的谐波讯号。

发明内容

有鉴于此，如何提供能有效抑制谐波信号，且能提高设计弹性的射频开关电路，实为本技术领域有待解决的问题。

本发明的射频开关电路包含第一二极管、第二二极管、第一电感、第二电感、第一电容和一第二电容。所述第一二极管的阴极端用于接收第一参考电压。所述第二二极管的阴极端用于接收所述第一参考电压。所述第一电感的第一端耦接于所述第一二极管的阳极端，所述第一电感的第二端用于接收第一控制电压。所述第二电感的第一端耦接于所述第二二极管的阳极端，所述第二电感的第二端用于接收第二控制电压。所述第一电容耦接于所述第一电感的所述第一端。所述第二电容耦接于所述第二电感的所述第一端。其中，当所述第一控制电压小于所述第一参考电压时，所述第一二极管处于关断状态，当所述第二控制电压小于所述第一参考电压时，所述第二二极管处于关断状态。

本发明的射频开关电路包含第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、第一电容和第二电容。所述第一晶体管的源极用于接收第一参考电压，该第一晶体管的漏极耦接于所述第一晶体管的栅极。所述第二晶体管的源极用于接收第一参考电压，所述第二晶体管的漏极耦接于所述第二晶体管的栅极。所述第一电感的第一端耦接于所述第一晶体管的所述漏极，所述第一电感的第二端用于接收第一控制电压。所述第二电感的第一端耦接于所述第二晶体管的漏极，所述第二电感的第二端用于接收第二控制电压。所述第一电容耦接于所述第一电感的所述第一端。所述第二电容耦接于所述第二电感的所述第一端。其中，当所述第一控制电压小于所述第一参考电压时，所述第一晶体管处于关断状态，当所述第二控制电压小于所述第一参考电压时，所述第二晶体管处于关断状态。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。