[发明专利]一种半导体器件中栅极材料高度的监控方法有效
| 申请号： | 201811325528.0 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111162125B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 肖魁;方冬;卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 栅极 材料 高度 监控 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件中栅极材料高度的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，采用干法刻蚀工艺在所述半导体衬底中形成沟槽；
在所述沟槽中填充栅极材料；
量测所述栅极材料顶面两点之间的电阻，即栅极材料的电阻；
利用所述栅极材料的电阻、栅极材料的电阻率、栅极材料的宽度、栅极材料的长度计算所述栅极材料的高度；其中，所述栅极材料的长度为量测所述栅极材料的电阻时所述栅极材料顶面两点之间的距离，所述栅极材料的宽度为所述沟槽的宽度；
计算第一栅极材料的高度以及第二栅极材料的高度，并计算所述第一栅极材料的高度和所述第二栅极材料的高度的高度差；其中，所述第一栅极材料的高度包括刻蚀步骤前栅极材料的高度，所述第二栅极材料的高度包括刻蚀步骤后栅极材料的高度，所述高度差为栅极材料的刻蚀深度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，量测所述栅极材料暴露的顶面任意两点之间的电阻。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极材料上形成有多个接触孔，量测任意两个所述接触孔之间的电阻。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括普通沟槽型VDMOS器件或分栅沟槽型VDMOS器件。
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