[发明专利]基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法有效
| 申请号： | 201811325924.3 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109585120B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 支钞;崔伟斌;唐彬;王月;屈明山;李严军;李寅鑫;王支荣;刘显学;余丙军;袁涛;曾德群 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 印章 转写 技术 永磁体 磁化 方法 | ||
1.基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其特征在于步骤如下：
1）制备磁印章和待刻印体；其中，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；所述磁印章包括上层基板和位于下层的带磁性图案的永磁薄膜；所述待刻印体包括下层基板和位于上层的永磁薄膜；
2）将制备好的磁印章与待刻印体进行贴合，即磁印章的永磁薄膜的下表面与待刻印体的永磁薄膜的上表面进行贴合，然后进行加热，加热温度升至待刻印体的永磁薄膜的居里温度，再逐渐退火，从而将磁印章的永磁薄膜上的磁性图案转写到待刻印体的永磁薄膜上。
2.根据权利要求1所述的基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其特征在于：所述带磁性图案的永磁薄膜采用钐钴稀土永磁体。
3.根据权利要求1或2所述的基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其特征在于：所述上层基板采用石英基板。
4.根据权利要求3所述的基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其特征在于：所述磁印章采用激光热辅助磁化技术制作，将所需要的磁性图案写入到磁印章的永磁薄膜中。
5.根据权利要求1所述的基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其特征在于：所述待刻印体的永磁薄膜选用钕铁硼稀土永磁体。
6.根据权利要求5所述的基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其特征在于：所述下层基板采用任意基板均可。
7.根据权利要求1所述的基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其特征在于：步骤2）中，所述加热温度大于NdFeB的居里温度，且加热温度小于SmCo的居里温度。
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