[发明专利]硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路在审
申请号: | 201811326941.9 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN111162773A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 杨正杰 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/0185;H01L23/48 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅通孔 信号 控制电路 三维集成电路 | ||
1.一种硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,包括:
第一信号导通控制电路,连接硅通孔的第一端,用于控制信号由集成电路通过所述第一端输入至所述硅通孔内部,或由所述硅通孔内部通过所述第一端输出至集成电路;
第二信号导通控制电路,连接硅通孔的第二端,用于控制信号由集成电路通过所述第二端输入至所述硅通孔内部,或由所述硅通孔内部通过所述第二端输出至集成电路。
2.根据权利要求1所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,所述第一信号导通控制电路和第二信号导通控制电路均包括:
信号输入端和信号输出端,共同连接于所述硅通孔的一端;
第一开关元件,位于所述信号输入端和所述硅通孔的一端之间,用于控制所述信号由所述信号输入端传入所述硅通孔;
第二开关元件,位于所述信号输出端和所述硅通孔的一端之间,用于控制所述信号由所述信号输出端传出所述硅通孔。
3.根据权利要求2所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,所述第一开关元件为第一传输门,所述第二开关元件为第二传输门,所述第一传输门和第二传输门均采用CMOS传输门。
4.根据权利要求3所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,所述第一传输门和第二传输门接受同一互补控制信号。
5.根据权利要求4所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,还包括:
反相器,连接所述第一传输门和第二传输门用于产生所述互补控制信号。
6.根据权利要求3所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,所述第一传输门和第二传输门接受不同互补控制信号。
7.根据权利要求6所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,还包括:
第一反相器,连接所述第一传输门,用于产生所述第一传输门需要的互补控制信号;
第二反相器,连接所述第二传输门,用于产生所述第二传输门需要的互补控制信号。
8.根据权利要求2所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,还包括:
缓冲器,连接所述信号输出端。
9.一种三维集成电路,其特征在于,包括:
多个芯片,所述多个芯片层叠设置;
硅通孔单元,由若干段硅通孔组成,每一段所述硅通孔贯穿一个所述芯片,且所述若干段硅通孔在竖直方向上连通;
权利要求1-8中任一项所述的硅通孔信号导通控制电路,连接每一段所述硅通孔,且设置于对应的所述芯片上。
10.根据权利要求9所述的三维集成电路,其特征在于,相邻两段所述硅通孔接触的一端连接同一个所述信号导通控制电路。
11.根据权利要求10所述的三维集成电路,其特征在于,所述硅通孔单元的数量为多个,且在水平方向分布于所述多个芯片内。
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