[发明专利]硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路在审

专利信息
申请号: 201811326941.9 申请日: 2018-11-08
公开(公告)号: CN111162773A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 杨正杰 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185;H01L23/48
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 硅通孔 信号 控制电路 三维集成电路
【权利要求书】:

1.一种硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,包括:

第一信号导通控制电路,连接硅通孔的第一端,用于控制信号由集成电路通过所述第一端输入至所述硅通孔内部,或由所述硅通孔内部通过所述第一端输出至集成电路;

第二信号导通控制电路,连接硅通孔的第二端,用于控制信号由集成电路通过所述第二端输入至所述硅通孔内部,或由所述硅通孔内部通过所述第二端输出至集成电路。

2.根据权利要求1所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,所述第一信号导通控制电路和第二信号导通控制电路均包括:

信号输入端和信号输出端,共同连接于所述硅通孔的一端;

第一开关元件,位于所述信号输入端和所述硅通孔的一端之间,用于控制所述信号由所述信号输入端传入所述硅通孔;

第二开关元件,位于所述信号输出端和所述硅通孔的一端之间,用于控制所述信号由所述信号输出端传出所述硅通孔。

3.根据权利要求2所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,所述第一开关元件为第一传输门,所述第二开关元件为第二传输门,所述第一传输门和第二传输门均采用CMOS传输门。

4.根据权利要求3所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,所述第一传输门和第二传输门接受同一互补控制信号。

5.根据权利要求4所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,还包括:

反相器,连接所述第一传输门和第二传输门用于产生所述互补控制信号。

6.根据权利要求3所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,所述第一传输门和第二传输门接受不同互补控制信号。

7.根据权利要求6所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,还包括:

第一反相器,连接所述第一传输门,用于产生所述第一传输门需要的互补控制信号;

第二反相器,连接所述第二传输门,用于产生所述第二传输门需要的互补控制信号。

8.根据权利要求2所述的硅通孔信号导通控制电路,其特征在于,还包括:

缓冲器,连接所述信号输出端。

9.一种三维集成电路,其特征在于,包括:

多个芯片,所述多个芯片层叠设置;

硅通孔单元,由若干段硅通孔组成,每一段所述硅通孔贯穿一个所述芯片,且所述若干段硅通孔在竖直方向上连通;

权利要求1-8中任一项所述的硅通孔信号导通控制电路,连接每一段所述硅通孔,且设置于对应的所述芯片上。

10.根据权利要求9所述的三维集成电路,其特征在于,相邻两段所述硅通孔接触的一端连接同一个所述信号导通控制电路。

11.根据权利要求10所述的三维集成电路,其特征在于,所述硅通孔单元的数量为多个,且在水平方向分布于所述多个芯片内。

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