[发明专利]占空比校准电路、存储器及占空比校准电路的调整方法在审
申请号: | 201811326942.3 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN111161783A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 刘格言 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/02 | 分类号: | G11C29/02;G11C7/22;G11C11/4076 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 校准 电路 存储器 调整 方法 | ||
1.一种占空比校准电路,其特征在于,包括:
信号调整电路,用于接收并调整第一时钟信号以生成第二时钟信号;
占空比检测电路,连接所述信号调整电路,用于检测所述第二时钟信号的占空比并将检测结果反馈至所述信号调整电路,所述占空比检测电路包括可调电容器;
工艺角检测单元,与所述可调电容器连接,用于检测存储器的工艺角参数并根据所述工艺角参数调整所述可调电容器的电容值。
2.根据权利要求1所述的占空比校准电路,其特征在于,所述工艺角检测单元包括:
工艺角检测电路,用于检测所述存储器的工艺角参数;
编码电路,与所述工艺角检测电路连接,用于对所述工艺角参数进行编码,以产生编码信号;
译码电路,连接所述编码电路和所述占空比检测电路,用于将所述编码信号转化为输出信号并根据所述输出信号调整所述可调电容器的电容值。
3.根据权利要求1所述的占空比校准电路,其特征在于,所述信号调整电路包括:
延时链,所述延时链具有第一延时接收端、第二延时接收端及延时输出端,所述第一延时接收端用于接收所述第一时钟信号,所述延时链能够对所述第一时钟信号进行延时以生成调整时钟信号,所述延时输出端用于输出所述调整时钟信号,所述第二延时接收端与所述占空比检测电路的时钟信号输出端连接;
时钟发生器,所述时钟发生器具有第一时钟接收端、第二时钟接收端及时钟输出端,所述第一时钟接收端用于接收所述第一时钟信号,所述第二时钟接收端与所述延时输出端连接并用于接收所述调整时钟信号,所述时钟发生器能够根据所述第一时钟信号和所述调整时钟信号生成所述第二时钟信号,所述时钟输出端用于输出所述第二时钟信号,且所述时钟输出端与所述占空比检测电路的时钟信号接收端连接。
4.根据权利要求3所述的占空比校准电路,其特征在于,还包括计数器,所述占空比检测电路的时钟信号输出端通过所述计数器与所述第二延时接收端连接。
5.根据权利要求2所述的占空比校准电路,其特征在于,
所述可调电容器包括多个并联连接的可调电容电路,各所述可调电容电路包括电容元件及与所述电容元件串联的开关元件,各所述开关元件与所述译码电路连接;
所述译码电路用于将所述编码信号转化为输出信号并根据所述输出信号调整各所述开关元件的通断状态,以调整所述可调电容器的电容值。
6.根据权利要求5所述的占空比校准电路,其特征在于,各所述可调电容电路中电容元件的电容值相同或不同。
7.根据权利要求5所述的占空比校准电路,其特征在于,所述电容元件为MOS管,所述MOS管的栅极连接所述开关元件。
8.根据权利要求5所述的占空比校准电路,其特征在于,所述开关元件包括并联连接的PMOS管和NMOS管,所述PMOS管和所述NMOS管分别与所述译码电路连接,所述PMOS管和所述NMOS管用于接收所述输出信号。
9.一种存储器,其特征在于,包括权利要求1至8中任一项所述的占空比校准电路。
10.一种占空比校准电路的调整方法,其特征在于,所述占空比校准电路包括信号调整电路及占空比检测电路,所述信号调整电路用于接收并调整存储器的第一时钟信号以生成第二时钟信号;所述占空比检测电路连接所述信号调整电路,用于检测所述第二时钟信号的占空比并将检测结果反馈至所述信号调整电路,所述占空比检测电路包括可调电容器;所述调整方法包括:
检测所述存储器的工艺角参数;
根据所述工艺角参数调整所述可调电容器的电容值。
11.根据权利要求10所述的调整方法,其特征在于,所述根据所述工艺角参数调整所述可调电容器的电容值,包括:
对所述工艺角参数进行编码,以产生编码信号;
将所述编码信号转化为输出信号;
根据所述输出信号调整所述可调电容器的电容值。
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