[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

导电条带叠层，通过数条绝缘条带隔离，该导电条带叠层中的数条导电条带在一第一方向上延伸，其中，该导电条带叠层包括第一导电条带叠层；

多个半圆柱形垂直通道结构，延伸通过该导电条带叠层中的所述导电条带，各该半圆柱形垂直通道结构具有一分割的椭圆形截面，该分割的椭圆形截面具有相对于该第一方向呈现倾斜的一主轴；及

数个数据储存结构，位于所述导电条带的侧壁上；及

所述半圆柱形垂直通道结构包括数个半导体薄膜，所述半导体薄膜具有数个外表面，所述外表面与所述导电条带的所述侧壁上的所述数据储存结构接触。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中该主轴相对于该第一方向倾斜一角度，该角度的范围在30度和80度之间，且该导电条带叠层中的所述导电条带用作三栅极来与所述半圆柱形垂直通道结构接触。

3.如权利要求1所述的存储器装置，包括：

一第二导电条带叠层，该第二导电条带叠层中的数条导电条带在该第一方向上延伸；及

一隔离区块，隔离该第一导电条带叠层及该第二导电条带叠层，该第一导电条带叠层中的第一半圆柱形垂直通道结构接触该隔离区块的一第一侧，该第二导电条带叠层中的第二半圆柱形垂直通道结构接触相对于该隔离区块的该第一侧的该隔离区块的一第二侧，

其中所述第一半圆柱形垂直通道结构沿着该主轴而横越过该隔离区块来相对配置于所述第二半圆柱形垂直通道结构。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中该导电条带叠层包括所述半圆柱形垂直通道结构，所述半圆柱形垂直通道结构位于该导电条带叠层的一第一侧上并位于相对于该第一侧的该导电条带叠层的一第二侧上，该存储器装置还包括：

一条共同源极线，配置在该导电条带叠层上，该共同源极线连接至位于该导电条带叠层的该第一侧与该第二侧上的所述半圆柱形垂直通道结构。

5.如权利要求1所述的存储器装置，包括：

多个导电条带叠层，包括该第一导电条带叠层，该多个导电条带叠层中的一第一奇数叠层配置于在该多个导电条带叠层中的一偶数叠层的一第一侧上，该多个导电条带叠层中的一第二奇数叠层配置于相对于该第一侧的该偶数叠层的一第二侧上；

一第一组位线，连接至邻近该偶数叠层的该第一侧的该第一奇数叠层的一第二侧上的所述半圆柱形垂直通道结构；及

一第二组位线，连接至在邻近该偶数叠层的该第二侧的该第二奇数叠层的一第一侧上的所述半圆柱形垂直通道结构，该第一组位线中的位线在该第一方向上是与该第二组位线中的位线交替。

6.如权利要求1所述的存储器装置，包括：

多个导电条带叠层，通过数条绝缘条带隔离，该多个导电条带叠层包括第一导电条带叠层；及

多个隔离区块，隔离该多个导电条带叠层中的邻近叠层，该多个隔离区块包括一第一隔离区块、一最终隔离区块及数个中间隔离区块，所述中间隔离区块在正交于该第一方向的一第二方向上配置在该第一隔离区块及该最终隔离区块之间，

其中该第一隔离区块及该最终隔离区块具有一第一宽度，所述中间隔离区块具有一第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度。

7.一种存储器装置的制造方法，包括：

形成多个导电层，通过数个绝缘层隔离；

于该多个导电层中刻蚀多列的数个椭圆形开口，所述列的所述椭圆形开口在一第一方向上排列，所述列中的所述椭圆形开口的每一者具有相对于该第一方向呈现倾斜的一主轴；

沉积数个数据储存结构及数个半导体薄膜于所述列中的所述椭圆形开口的侧壁及底表面上；及

在该第一方向上横越过各所述列的所述椭圆形开口中的所述椭圆形开口，来刻蚀通过所述导电层的多个缝隙，藉以形成多个导电条带叠层及多个半圆柱形垂直通道结构，所述半圆柱形垂直通道结构延伸通过所述导电条带叠层中的数条导电条带，所述半圆柱形垂直通道结构的每一者具有一分割的椭圆形截面，该分割的椭圆形截面具有相对于该第一方向呈现倾斜的一主轴。