[发明专利]一种VGF单晶炉、加热方法及存储介质

权利要求书

1.一种VGF单晶炉，其特征在于，所述VGF单晶炉内包括可移动加热环；

所述可移动加热环进一步包括陶瓷环和加热炉丝两部分构成；

所述加热炉丝为环状加热丝，所述所述加热炉丝整体镶嵌在带有沟槽的陶瓷环上，加热丝两端中间放置有陶瓷块，将所述加热炉丝隔开；

所述陶瓷环截面为C形，所述陶瓷环将加热丝包裹在其内，所述陶瓷环的截面C形结构陶瓷下端伸出长度大于炉丝内径，以阻挡炉丝沿轴向向下方的辐射，使其向安瓿的辐射方向为径向以及沿轴向向上两个范围之内；

所述陶瓷环径向上相对的两侧与两个中空支撑陶瓷杆连接，所述加热炉丝两端引出高温导线穿过所述陶瓷杆一直延伸到炉体外侧与直流模块相连；

所述陶瓷环设有耐高温S型热偶，热偶线穿过所述陶瓷杆到炉体外部与温度控制器相连。

2.根据权利要求1所述的VGF单晶炉，其特征在于，

所述加热炉丝为耐高温圆柱形加热炉丝。

3.根据权利要求1所述的VGF单晶炉，其特征在于，

所述陶瓷块与所述加热炉丝末端设有预定的空隙。

4.根据权利要求1所述的VGF单晶炉，其特征在于，

所述陶瓷杆穿过炉体上部保温塞后穿过两个水冷环，并分别通过各自导引轮后，通过同步定位装置连接在一起，以使两侧的所述陶瓷杆上下移动位移同步进行。

5.根据权利要求4所述的VGF单晶炉，其特征在于，

所述定位装置连接到丝杠滑块上，丝杠下方通过联轴器与步定电机相连，丝杠旋转后其上部滑块实现轴向上下移动，通过控制步定电机旋转速度及时间进而控制陶瓷杆以及加热环上下移动。

6.一种VGF单晶炉加热方法，其特征在于，应用权利要求1-5中任一项所述的VGF单晶炉，包括：

将待生长晶体放置在炉体内部的陶瓷托上，设定VGF单晶炉各个温区的晶体生长程序升温，并设定可移动加热环的加热程序与移动程序辅助进行界面控制；

在晶体生长过程中所述可移动加热环下部陶瓷片底部始终保持与固液界面中心平行，当固液界面形状为凸界面时候，输出功率减小，当固液界面变凹时，加热环的输出功率增加，向晶体外侧坩埚处补充热流，以使界面形状变平或变凸。

7.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有信号映射的计算机程序，所述计算机程序被至少一个处理器执行时，以实现权利要求6所述的VGF单晶炉加热方法。