[发明专利]金属氮氧化物薄膜及金属氮氧化物薄膜的制造方法、以及电容元件有效
| 申请号： | 201811329269.9 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109767915B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 山﨑久美子;永峰佑起;芝原豪;梅田裕二;山﨑纯一 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 制造 方法 以及 电容 元件 | ||
1.一种金属氮氧化物薄膜，其特征在于，
所述金属氮氧化物薄膜具有钙钛矿结构，
所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A1+αBOx+αNy表示的组成，α大于0且为0.300以下，x+α大于2.450，y为0.300以上且0.700以下，
所述金属氮氧化物薄膜具备具有以通式AO表示的组成的AO结构，所述AO结构是平行于与所述钙钛矿结构的c轴垂直的面的层状结构，
所述AO结构与所述钙钛矿结构结合而进入所述钙钛矿结构中。
2.根据权利要求1所述的金属氮氧化物薄膜，其特征在于，
所述AO结构散布于所述钙钛矿结构中。
3.根据权利要求1或2所述的金属氮氧化物薄膜，其特征在于，
所述A是选自Ba、Sr、Ca、La及Nd中的1种以上，所述B是选自Ta、Nb、W及Ti中的1种以上。
4.根据权利要求1或2所述的金属氮氧化物薄膜，其特征在于，
以电场强度为0.5Vrms/μm、频率为1kHz测得的所述金属氮氧化物薄膜的相对介电常数和以电场强度为0.5V/μm测得的所述金属氮氧化物薄膜的绝缘电阻率的积为2.0×1013Ωcm以上。
5.一种金属氮氧化物薄膜的制造方法，其特征在于，
所述制造方法是制造权利要求1～4中任一项所述的金属氮氧化物薄膜的方法，
具有使用成膜用原料，使具有钙钛矿结构的金属氮氧化物沉积，从而形成金属氮氧化物薄膜的工序，
作为所述成膜用原料，使用所述钙钛矿结构的A位点元素的摩尔量相对于所述钙钛矿结构的B位点元素的摩尔量之比大于1.00的原料，
在形成所述金属氮氧化物薄膜的工序中，作为气氛气体，使用包含氮气及氧气的混合气体，所述氧气所示的分压相对于所述氮气所示的分压之比为0.2以上。
6.一种电容元件，其特征在于，
具备权利要求1～4中任一项所述的金属氮氧化物薄膜。
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