[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供多个衬底；

通过物理气相沉积PVD在所述衬底上沉积AlN层；

将所述多个衬底放置在金属有机化合物化学气相沉积MOCVD设备内，所述MOCVD设备包括反应腔、放置在所述反应腔内的可转动的转盘，所述转盘上设置有用于放置所述衬底的多个圆形凹槽，所述多个圆形凹槽分布在多个同心圆上；

在所述AlN层上生长GaN成核层，所述多个圆形凹槽内的GaN成核层的厚度随所述同心圆的直径的增大而减小，所述多个圆形凹槽内的GaN成核层的厚度减小的程度，与所述多个同心圆的位置处离心力不同所导致的翘曲量相互抵消；

在所述GaN成核层上依次生长未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层及P型GaN层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每两个相邻的同心圆上的圆形凹槽内的GaN成核层的厚度之差的绝对值均相等。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述厚度之差的绝对值为5～10nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述AlN层上生长GaN成核层包括：

在所述AlN层上依次生长第一GaN成核子层、第二GaN成核子层，所述第一GaN成核子层的生长温度为800～1100℃，所述第二GaN成核子层的生长温度为1200～1800℃。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一GaN成核子层的厚度为1～20nm，所述第二GaN成核子层的厚度为50～100nm。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述多个圆形凹槽内的第一GaN成核子层的厚度随所述同心圆的直径的增大而减小，所述多个圆形凹槽内的第二GaN成核子层的厚度随所述同心圆的直径的增大而减小。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，每两个相邻的同心圆上的圆形凹槽内的第一GaN成核子层的厚度之差的绝对值均相等，每两个相邻的同心圆上的圆形凹槽内的第二GaN成核子层的厚度之差的绝对值均相等。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述GaN成核层的厚度为10～50nm。

9.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述通过物理气相沉积PVD在所述衬底上沉积AlN层包括：在所述通过磁控溅射衬底上沉积AlN层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述AlN层的厚度为10～50nm。