[发明专利]细胞电融合培养芯片和装置、细胞电融合的方法

权利要求书

1.一种细胞电融合培养芯片，其特征在于，包括：

基底；

至少一个第一叉指电极和至少一个第二叉指电极，所述至少一个第一叉指电极和至少一个第二叉指电极设置在所述基底的上表面，且每个所述第一叉指电极具有至少一个第一凸出电极，每个所述第二叉指电极具有至少一个第二凸出电极；

捕获层，所述捕获层覆盖所述至少一个第一叉指电极和至少一个第二叉指电极，且具有至少一个捕获孔，所述捕获孔贯穿所述捕获层；

培养层，所述培养层覆盖所述捕获层，所述培养层的下表面与所述捕获层的上表面之间限定有腔体，且所述培养层还设置有两个进出口和至少一个培养孔，所述进出口贯穿所述培养层且用于细胞悬浮液的进出，所述培养孔不贯穿所述培养层且与所述捕获孔正对设置；

其中，所述腔体通过所述捕获孔与部分的所述第一凸出电极和部分的所述第二凸出电极相连。

2.根据权利要求1所述的细胞电融合培养芯片，其特征在于，

形成所述基底的材料为无机玻璃或有机玻璃，

形成所述第一叉指电极和所述第二叉指电极的材料为金属或导电聚合物，

形成所述捕获层的材料为光刻胶，

形成所述培养层的材料包括聚二甲基硅氧烷。

3.根据权利要求1所述的细胞电融合培养芯片，其特征在于，

所述第一叉指电极和所述第二叉指电极的厚度为50～150纳米，

方形的所述捕获孔的长为10～100微米、宽为5～50微米，

一个所述捕获孔中的所述第一凸出电极与所述第二凸出电极的间距为20～30微米。

4.根据权利要求1所述的细胞电融合培养芯片，其特征在于，

所述细胞电融合培养芯片包括相间平行排布的多个所述第一叉指电极和多个所述第二叉指电极，且每个所述第一叉指电极具有多个所述第一凸出电极，每个所述第二叉指电极具有多个所述第二凸出电极；

所述捕获层具有多个所述捕获孔，所述培养层具有多个所述培养孔，并且，所述多个捕获孔和所述多个培养孔都呈阵列排布。

5.根据权利要求4所述的细胞电融合培养芯片，其特征在于，所述捕获孔的个数为50～1000个。

6.根据权利要求1所述的细胞电融合培养芯片，其特征在于，所述捕获层与所述培养层之间可拆开。

7.一种细胞电融合培养装置，其特征在于，包括：

权利要求1～6中任一项所述的细胞电融合培养芯片；

信号发生器，所述信号发生器分别与所述至少一个第一叉指电极和至少一个第二叉指电极电连接，用于对所述细胞电融合培养芯片发出不同的电信号；

微流泵，所述微流泵分别与所述两个进出口相连，用于控制细胞悬浮液的流动。

8.一种细胞电融合的方法，其特征在于，使用权利要求7所述的细胞电融合培养装置，且所述方法包括：

通过微流泵使细胞悬浮液从细胞电融合培养芯片的进出口进入腔体；

通过信号发生器对第一叉指电极和第二叉指电极施加正弦电信号，所述细胞悬浮液中的细胞进入捕获孔中，并被吸附到第一凸出电极或第二凸出电极上；

通过调节所述信号发生器的信号频率，使所述第一凸出电极吸附的所述细胞与所述第二凸出电极吸附的所述细胞进行接触配对；

通过所述调节信号发生器对所述第一叉指电极和所述第二叉指电极施加电脉冲信号，使所述细胞的接触部分发生电穿孔并融合。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述细胞进行融合的步骤之后，所述方法进一步包括：

将所述细胞电融合培养芯片翻转180°，使所述融合后的细胞落入培养孔；

通过所述微流泵使培养基进入所述细胞电融合培养芯片的所述培养孔，对所述融合后的细胞进行培养。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述电脉冲信号的个数为5个、脉宽为50微秒且频率为1Hz。