[发明专利]一种薄膜太阳能电池制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

包括以下步骤：

背电极形成步骤，在衬底上形成背电极；

金属预制层形成步骤，在所述背电极上形成金属预制层；

碱金属预处理步骤，将所述金属预制层在NaF溶液中进行浸泡处理并烘干；

吸收层形成步骤，将所述烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层；

缓冲层形成步骤，在所述吸收层上形成缓冲层；

窗口层形成步骤，在所述缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及

顶电极形成步骤，在所述窗口层上形成顶电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述金属预制层为铜锌锡、铜铟镓。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述NaF溶液的浓度为mmol/L级别。

4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述NaF溶液的浓度为3mmol/L～15mmol/L。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述浸泡处理时间为20分钟。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述烘干的温度为80℃～100℃，时间为10分钟。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述吸收层为铜锌锡硒、铜锌锡硫硒或铜铟镓硒薄膜。

8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述吸收层厚度为1.0μm-2.0μm。

9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述缓冲层是CdS、ZnS、(Cd,Zn)S、Zn(O,S)或In₂S₃，所述缓冲层采用化学水浴法、原子层沉积法或蒸发法制备，厚度为30nm～100nm。

10.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述窗口层采用磁控溅射方法制备，所述本征氧化锌层厚度为30nm～150nm，所述掺杂氧化锌层为掺铝氧化锌薄膜、掺镓氧化锌薄膜或掺镁氧化锌薄膜，厚度为300nm～1500nm。