[发明专利]制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底上形成掩模层；以及

各向异性地蚀刻由所述掩模层露出的所述半导体衬底，直至在所述半导体衬底中形成腔体，其中，各向异性地蚀刻由所述掩模层露出的所述半导体衬底包括实施多个第一循环以及在实施所述第一循环之后实施多个第二循环，所述第一循环和所述第二循环中的每个循环分别包括实施钝化步骤以及在实施所述钝化步骤之后实施蚀刻步骤，

在所述第一循环期间，所述蚀刻步骤与所述钝化步骤的第一持续时间比率是可变的并且逐步增加，

在所述第二循环期间，所述蚀刻步骤与所述钝化步骤的第二持续时间比率是恒定的，并且所述第一持续时间比率小于所述第二持续时间比率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一持续时间比率非线性地逐步增加。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一持续时间比率从X1逐步增加至Y1，X1小于1，并且Y1大于1并且小于所述第二持续时间比率1.2。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，各向异性地蚀刻由所述掩模层露出的所述半导体衬底还包括在实施所述第二循环之后实施多个第三循环，所述第三循环中的每个循环分别包括实施钝化步骤以及在实施钝化步骤之后实施蚀刻步骤，

在所述第三循环期间，所述蚀刻步骤与所述钝化步骤的第三持续时间比率是可变的并且逐步增加。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三持续时间比率线性地逐步增加。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三持续时间比率是可变的并且从X2逐步增加至Y2，并且X2和Y2大于1并且小于所述第二持续时间比率。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，当压板以第一频率操作时实施所述第一循环和所述第二循环，而当压板以低于所述第一频率的第二频率操作时实施所述第三循环。

8.一种制造半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底上形成掩模层，所述掩模层包括第一图案和第二图案；

各向异性地蚀刻由所述掩模层露出的所述半导体衬底，直至形成第一腔体和由所述第二图案覆盖的第一凸块；

从所述第一凸块去除所述掩模层的第二图案；以及

各向异性地蚀刻由所述掩模层的所述第一图案露出的所述半导体衬底，直至所述第一腔体加深为形成第二腔体并且在所述第二腔体中形成第二凸块，其中，各向异性地蚀刻由所述掩模层的所述第一图案露出的所述半导体衬底包括实施多个循环，每个所述循环分别包括实施钝化步骤以及在实施所述钝化步骤之后实施蚀刻步骤，

在第一数量的多个循环期间，所述蚀刻步骤与所述钝化步骤的第一持续时间比率是可变的并且逐步增加，

在第二数量的多个循环期间，所述蚀刻步骤与所述钝化步骤的第二持续时间比率是恒定的，并且所述第一持续时间比率小于所述第二持续时间比率。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述掩模层的第一图案包括图案化的硬掩模层，所述掩模层的第二图案包括图案化的光刻胶层，以及在所述半导体衬底上形成包括所述第一图案和所述第二图案的所述掩模层包括：

在所述半导体衬底上形成硬掩模材料层；

图案化所述硬掩模材料层以在所述半导体衬底上形成所述图案化的硬掩模层；以及

在由所述图案化的硬掩模层露出的所述半导体衬底上形成所述图案化的光刻胶层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一持续时间比率非线性地逐步增加。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一持续时间比率是可变的，并且从X1逐步增加至Y1，X1小于1，并且Y1大于1并且小于第二持续时间比率。