[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811333707.9 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN110444606A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 千大焕;周洛龙 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 衬底 第二电极 第一表面 第一电极 区域设置 侧表面 第二表面 顶表面 制造 | ||
1.一种半导体装置，其包括：
n型层，其设置在衬底的第一表面上；
p+型区域，其设置在衬底的第一表面上；
p-型区域，其设置在所述n型层的顶表面上；
第一电极，其设置在所述p+型区域的顶表面上和所述p-型区域的顶表面上；
第二电极，其设置在衬底的第二表面上；
其中，所述p+型区域的侧表面和所述n型层的侧表面接触；
所述p+型区域的厚度与所述n型层的厚度和所述p-型区域的厚度的总和相同。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述p+型区域的离子掺杂浓度高于所述p-型区域的离子掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述p+型区域的侧表面和所述p-型区域的侧表面接触。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述p+型区域的电荷量与所述n型层的电荷量相同。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述第一电极包括设置在所述p-型区域的顶表面上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层；
所述第一金属层与所述p-型区域连续接触。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述第一金属层包括肖特基金属；
所述第二金属层和所述第二电极包括欧姆金属。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二金属层设置在所述p+型区域的顶表面上，并且所述第一金属层设置在所述p-型区域的顶表面上。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一金属层设置在所述p+型区域的顶表面和所述p-型区域的顶表面上。
9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述p+型区域包括设置在所述衬底的第一表面上的第一P浓度层和设置在所述第一P浓度层上的第二P浓度层；
所述第一电极的第一金属层设置在所述p-型区域的顶表面和所述第二P浓度层的顶表面上。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第一P浓度层的离子掺杂浓度高于所述第二P浓度层的离子掺杂浓度。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述n型层包括设置在所述衬底的第一表面上的第一N浓度层和设置在所述第一N浓度层上的第二N浓度层；
所述p-型区域设置在所述第二N浓度层的顶表面上。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一N浓度层的离子掺杂浓度高于所述第二N浓度层的离子掺杂浓度。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述衬底是n+型碳化硅衬底。
14.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：
在衬底的第一表面上形成n型层；
蚀刻n型层的一部分以形成暴露衬底的第一表面的一部分的衬底暴露区域，其中，通过衬底的第一表面和n型层的侧表面形成所述衬底暴露区域；
在所述衬底暴露区域处形成p+型区域；
在所述n型层上形成p-型区域；
在所述p+型区域的顶表面上和所述p-型区域的顶表面上形成第一电极；
在衬底的第二表面上形成第二电极；
其中，所述p+型区域的侧表面和所述n型层的侧表面接触；
所述p+型区域的厚度与所述n型层的厚度和所述p-型区域的厚度的总和相同。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述p+型区域的离子掺杂浓度高于所述p-型区域的离子掺杂浓度。
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