[发明专利]一种电子元器件和模组的封装工艺

权利要求书

1.一种电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将干净的电子元器件或模组放入真空室中，在包含有机硅化合物的气体存在的条件下，对电子元器件或模组进行等离子体处理；

(2)通过热裂解或光裂解的方法，使对环芳烷或其卤代物分解成双自由基前体，将双自由基前体引入真空室中，制备聚对二甲苯薄膜，并使该薄膜涂覆在电子元器件或模组的表面上。

2.根据权利要求1所述的一种电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于：步骤(1)中所述的有机硅化合物包括含有甲基、乙基、丙基苯基、乙烯基、丙烯基、烯丙基或卤代烃基的有机硅化合物。

3.根据权利要求2所述的一种电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于：所述的有机硅化合物为二甲基硅烷、四甲基硅烷、六甲基二甲硅醚、二甲基二氯硅烷、苯基氯硅烷、三甲基氯硅烷、甲基乙烯基氯硅烷、乙基三氯硅烷、丙基三氯硅烷、乙烯基三氯硅烷、γ-氯丙基三氯硅烷、六甲基二硅氧烷(MM)、六甲基环三硅氧烷(D3)、八甲基环四硅氧烷(D4)、二甲基环硅氧烷混合物(DMC)、四甲基四乙烯基环四硅氧烷(V4)、乙烯基混合环体(VMC)、碳羟基硅油(HPMS)、乙烯基硅油(VSO)、二甲基硅油(DMSO)、硅烷偶联剂中的一种或者两种以上化合物的混合物。

4.根据权利要求1所述的电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于：在等离子体处理后和聚对二甲苯薄膜沉积之前还包括使空气或者其它气体进入真空室中，使真空室为常压或正压。

5.根据权利要求1或4所述的电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于：步骤(1)中，通过雾化器或气化器将有机硅化合物雾化或气化，然后，雾化或气化的有机硅化合物被送至真空室中，或者雾化或气化的有机硅化合物和空气、氧气、氮气、氢气、氩气、水蒸气、氨气、二氧化碳气体一起被送至真空室中，在真空条件下进行等离子处理真空室中的电子元器件或模组。

6.根据权利要求5所述的电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于：被引入到真空室中的气体，含有重量百分比为2.5-75％的有机硅化合物。

7.根据权利要求1所述的电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于：所述的聚对二甲苯薄膜是N型、C型、D型或F型的。

8.根据权利要求1所述的电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于：制备聚对二甲苯薄膜所用的自由基前体是对二亚甲基苯环状二聚体、对二亚甲基苯环状二聚体的卤代物或它们的化合物。

9.根据权利要求1所述的电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于：制备聚对二甲苯薄膜时，通过加热的方式、或通过紫外线辐射的方式或同时通过加热和紫外线辐照的方式，使环芳烃裂解为活性中间体对二亚甲基苯类物质，然后将气态活性中间体引入至温度低于200℃、气压低于100Pa的真空室中，使气态活性中间体沉积在电子元器件和模组，形成与电子元器件和模组粘结牢固的聚对二甲苯薄膜；在沉积时可在真空室内开启紫外线灯。

10.根据权利要求1所述的电子元器件和模组的封装工艺，其特征在于，所述的电子元器件包括电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、芯片、汽车钥匙，所述的模组包括LED模组、背光模组、内存模组、摄像头模组、汽车电子模组。