[发明专利]光学邻近修正和光掩模

说明书

本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。

技术领域

本发明的实施例涉及光学邻近修正和光掩模。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，这种按比例缩小也伴随着包含这些IC的器件的设计和制造的复杂性增加。制造业的平行进步使得越来越复杂的设计能够以精确和可靠的方式制造。

例如，一些进步补偿了在光刻极限附近发生的光学效应和处理缺陷。在许多实例中，使用一组光刻掩模在半导体衬底上限定和形成IC部件。掩模具有由透射和/或反射区域形成的图案。在光刻曝光期间，诸如紫外光的辐射在撞击衬底上的光刻胶涂层之前穿过掩模或从掩模反射。掩模将图案转移到光刻胶上，然后选择性地去除光刻胶以显示图案。然后衬底经历处理步骤，该处理步骤利用剩余光刻胶的形状以在衬底上产生电路部件。当处理步骤完成时，施加另一光刻胶并且使用下一掩模曝光衬底。通过这种方式，部件被分层以产生最终电路。

然而，形成在衬底上的图案可以与掩模的图案不同。例如，包括衍射、散射和干涉的光学效应可能影响辐射落在工件上的位置。同样地，掩模、光刻系统和/或工件的特性可以确定光刻胶的哪些部分被暴露。诸如光刻胶显影、蚀刻、沉积、注入等处理步骤的可变性也可能影响最终图案的形状。如果不加以考虑，这些影响可能会导致变化，例如圆角、散射误差、缩颈、桥接和不完整的部件。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造光掩模的方法，包括：接收布局，所述布局包括要在光掩模上形成的形状；确定用于所述形状的多个目标光刻轮廓，其中，所述多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标光刻轮廓和用于第二组工艺条件的与所述第一目标光刻轮廓不同的第二目标光刻轮廓；执行所述布局的光刻模拟以在所述第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在所述第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓；在所述第一模拟轮廓和所述第一目标光刻轮廓之间确定第一边缘放置误差，并且在所述第二模拟轮廓和所述第二目标光刻轮廓之间确定第二边缘放置误差；基于所述第一边缘放置误差和所述第二边缘放置误差确定对所述布局的修改；以及提供具有所述修改的所述布局以用于制造所述光掩模。

本发明的另一实施例提供了一种制造光掩模的方法，包括：接收用于制造掩模的布局；确定对应于多组工艺条件的多个目标轮廓，其中，所述多个目标轮廓的第一轮廓不同于所述多个目标轮廓的第二轮廓；对于所述布局的多个潜在修改中的每一个：模拟在所述多组工艺条件下的相应潜在修改的光刻工艺以产生多个模拟轮廓；基于所述多个模拟轮廓和所述多个目标轮廓确定边缘放置误差；并且基于所述边缘放置误差将成本与相应的潜在修改相关联；以及提供所述布局和具有最低相关成本的所述多个潜在修改的修改以用于制造所述掩模。

本发明的又一实施例提供了一种制造光掩模的方法，包括：接收布局，所述布局包括与要在工件上形成的部件相对应的形状；通过以下步骤确定对所述布局执行的补偿工艺：确定与工艺窗口内的工艺条件对应的所述形状的多个目标轮廓，其中，所述多个目标轮廓的第一轮廓不同于所述多个目标轮廓的第二轮廓；在所述工艺窗口内的所述工艺条件下模拟对所述布局的多个潜在修改以产生模拟轮廓；和基于将所述模拟轮廓与所述多个目标轮廓进行比较，评估所述多个潜在修改的成本；以及提供所述布局和具有最低成本的所述多个潜在修改的修改，以制造用于在所述工件上形成部件的光掩模。

附图说明