[发明专利]存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

设置在衬底上的电极结构，包括交替堆叠的多个第一电极层和多个第二电极层；

穿透电极结构的多个竖直有源区；

设置在竖直有源区与电极结构中的各第一电极层之间的第一栅介质层以及设置在竖直有源区与电极结构中的各第二电极层之间的第二栅介质层，其中，第一栅介质层和第二栅介质层分别构成数据存储结构，

其中，第一电极层与第一栅介质层的组合的第一有效功函数不同于第二电极层与第二栅介质层的组合的第二有效功函数，

其中，竖直有源区中与各第一电极层及其上、下方的相邻第二电极层相对应的部分分别构成同一器件的沟道区和源/漏区，竖直有源区中与各第二电极层及其上、下方的相邻第一电极层相对应的部分分别构成同一器件的沟道区和源/漏区。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

第一有效功函数接近竖直有源区中半导体材料的导带，而第二有效功函数接近竖直有源区中半导体材料的价带；或者

第一有效功函数接近竖直有源区中半导体材料的价带，而第二有效功函数接近竖直有源区中半导体材料的导带。

3.根据权利要求1所述的存储器件，还包括所述第一电极层与所述第二电极层之间的绝缘层。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一栅介质层和第二栅介质层分别包括第一介质层-电荷俘获层-第二介质层的叠层结构。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，第一栅介质层和第二栅介质层由相同的第一介质层-电荷俘获层-第二介质层的叠层结构构成，第一介质层、电荷俘获层和第二介质层均沿竖直有源区的侧壁连续延伸。

6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，叠层结构中的第一介质层靠近竖直有源区，第二介质层靠近电极结构，第一栅介质层的叠层结构中第一介质层和电荷俘获层分别与第二栅介质层的叠层结构中第一电介质层和电荷俘获层由相同的层构成，第一介质层和电荷俘获层均沿竖直有源区的侧壁连续延伸，而各栅介质层的叠层结构中的第二介质层分别沿着相应电极层的侧壁和上、下表面延伸。

7.根据权利要求4所述的存储器件，其中，第一栅介质层沿着各第一电极层的侧壁和上、下表面延伸，第二栅介质层沿着各第二电极层的侧壁和上、下表面延伸。

8.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

形成在衬底中与各竖直有源区的底端相接触的接触区。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，竖直有源区中的半导体材料至少在底端被掺杂为与接触区相同的导电类型，被掺杂的部分在横向上与第一电极层和第二电极层中最下方的电极层相交迭。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，竖直有源区中的半导体材料呈底端封闭的管状。

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一栅介质层和第二栅介质层分别为包括铁电材料的介质层。

12.一种制造存储器件的方法，包括：

在衬底上设置多个第一牺牲层和多个第二牺牲层交替堆叠的叠层；

形成穿透所述叠层的多个竖直孔；

在所述竖直孔的侧壁上形成与第一牺牲层相对应的第一栅介质层以及与第二牺牲层相对应的第二栅介质层；

在竖直孔中填充半导体材料，以形成有源区；

将第一牺牲层替换为第一电极层；以及

将第二牺牲层替换为第二电极层，

其中，第一电极层与第一栅介质层的组合的第一有效功函数不同于第二电极层与第二栅介质层的组合的第二有效功函数。