[发明专利]一种制备高纯碳化硅粉料的方法

权利要求书

1.一种制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)选择高纯硅粉和高纯碳粉；

(2)对高纯碳粉、石墨坩埚和保温结构进行一次提纯和二次提纯，其中，一次提纯采用真空脱气提纯，二次提纯采用惰性气体下的高温提纯；

(3)将步骤(2)二次提纯得到的高纯碳粉和步骤(1)中的高纯硅粉置于步骤(2)二次提纯得到的石墨坩埚中，反应得到高纯碳化硅粉料。

2.根据权利要求1所述的制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，步骤(3)之后，还包括对高纯碳化硅粉料进行低温通氧煅烧的步骤。

3.根据权利要求1所述的制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述真空脱气提纯的具体操作如下：

将所述高纯碳粉置于石墨坩埚中，将石墨坩埚和保温结构在真空条件下，升温脱气提纯。

4.根据权利要求3所述的制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，升温至1000-1500℃，脱气提纯5-20h；优选的，升温至1200-1400℃，脱气提纯8-15h；更优选的，升温至1300℃，脱气提纯10h。

5.根据权利要求1-3任一所述的制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述惰性气体下的高温提纯的具体操作如下：

向石墨坩埚和保温结构中通入惰性气体，缓慢升温至1800-2300℃进行提纯，得到低氮含量和低金属杂质含量的高纯碳粉、石墨坩埚和保温结构。

6.根据权利要求5所述的制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，

所述缓慢升温至1800-2300℃进行提纯的时间为5-50h；优选的，所述缓慢升温至1900-2200℃进行提纯的时间为10-40h；更优选的，所述缓慢升温至2100℃进行提纯的时间为30h；

所述惰性气体选自氩气和/或氦气。

7.根据权利要求1所述的制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，所述步骤(3)的具体操作如下：将步骤(2)二次提纯得到的高纯碳粉和步骤(1)中的高纯硅粉混匀，置于步骤(2)二次提纯得到的石墨坩埚中，之后，将石墨坩埚在真空条件下加热进行合成反应；合成反应之后，通入惰性气体，缓慢升温进行转化反应得到高纯碳化硅粉料。

8.根据权利要求7所述的制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，

所述合成反应的温度为1000-1500℃，合成反应的时间为5-15h；优选的，所述合成反应的温度为1200-1400℃，合成反应的时间为8-12h；更优选的，所述合成反应的温度为1300℃，合成反应的时间为10h；

所述转化反应的温度为1800-2300℃，转化反应的时间为5-50h；优选的，所述转化反应的温度为1900-2200℃，转化反应的时间为15-30h；更优选的，所述转化反应的温度为2100℃，转化反应的时间为25h；

所述惰性气体选自氩气和/或氦气。

9.根据权利要求2所述的制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，所述低温通氧煅烧为在500-1000℃下通氧气煅烧3h以上；优选的，所述低温通氧煅烧为在800℃下通氧气煅烧10h。

10.由权利要求1-9任一所述的制备高纯碳化硅粉料的方法制备得到的高纯碳化硅粉料。