[发明专利]掩模版

权利要求书

1.一种掩模版，包括至少一个图形区，每个所述图形区包括在沿所述掩模版的长度方向上相邻的低密度开口区和高密度开口区，每个所述低密度开口区和每个所述高密度开口区中均有多个贯通的图形开口，其中，在所述高密度开口区内图形开口的面积之和占所述高密度开口区总面积的比例大于在所述低密度开口区内图形开口的面积之和占所述低密度开口区总面积的比例，其特征在于，在所述低密度开口区的图形开口的间隙处，还设置有未贯通的补偿凹槽，所述补偿凹槽与任一所述图形开口间隔设置。

2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述低密度开口区中的图形开口具有长度方向，所述补偿凹槽具有长度方向，所述补偿凹槽的形状与其所在低密度开口区中的图形开口的形状相同，所述补偿凹槽的长度方向与其所在低密度开口区中的图形开口的长度方向均相同。

3.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，至少部分所述补偿凹槽的中心设置在与其相邻的多个图形开口的中心构成的图形的中心。

4.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，在所述低密度开口区中的图形开口排成多行多列，至少部分所述补偿凹槽设置在所述低密度开口区中相邻行的图形开口之间，且设置在所述低密度开口区中相邻列的图形开口之间。

5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版用于对在基板成膜过程中遮挡部分传向基板的成膜材料。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版在未受沿其长度方向的外力时处于原始状态，所述掩模版在被沿其长度方向的外力拉伸平整时处于平整状态；

所述掩模版在其长度方向上的不同位置处，所述掩模版在原始状态下的沿任意方向的尺寸与所述掩模版在平整状态下的沿该方向的尺寸的比为该位置处在该方向的伸缩比例；

除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处与所述高密度开口区中任意位置处相比，二者在所述掩模版的长度方向和宽度方向的伸缩比例均不同。

7.根据权利要求6所述的掩模版，其特征在于，

除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处和所述高密度开口区中任意位置处相比，前者在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例小于后者在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例。

8.根据权利要求7所述的掩模版，其特征在于，除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处和所述高密度开口区中任意位置处相比，前者在所述掩模版的长度方向的伸缩比例大于后者在所述掩模版的长度方向的伸缩比例。

9.根据权利要求8所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括虚拟低密度开口区和位于所述掩模版长度方向两端的虚拟端部区，其中一个虚拟端部区与低密度开口区直接连接，另一个虚拟端部区与所述虚拟低密度开口区直接连接，所述虚拟低密度开口区位于其所连接的虚拟端部区以及与该虚拟端部区最近的高密度开口区之间，所述虚拟低密度开口区的形状与所述低密度开口区的形状相同。

10.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述虚拟低密度开口区在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例沿所述掩模版的长度方向呈线性变化关系；

与一个虚拟端部区直接连接的低密度开口区在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例沿所述掩模版的长度方向呈线性变化关系。

11.根据权利要求10所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版具有两个沿所述掩模版的长度方向重复排列的所述图形区；

位于两个高密度开口区之间的低密度开口区，其在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例从其内的第一位置分别到相邻的两个高密度开口区的边界均呈线性变化关系。