[发明专利]半导体器件与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

具有凹槽的第一电极层；

介质层，位于所述凹槽的表面上以及所述凹槽两侧的所述第一电极层的表面上，所述介质层具有电极接触通孔；

第二电极层，位于所述介质层的远离所述第一电极层的一侧，且所述第二电极层和所述凹槽表面上的所述介质层形成空腔，所述第一电极层的材料和/或所述第二电极层的材料包括SiC；

第一电极，至少部分位于所述电极接触通孔中且与所述第一电极层接触；

第二电极，至少部分位于所述第二电极层的远离所述介质层的表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层和/或所述第二电极层的掺杂浓度等于或大于10²⁰/cm³。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层和所述介质层的晶格常数的差值在0.01～0.10之间，和/或所述第二电极层和所述介质层的晶格常数的差值在0.01～0.10之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的材料包括AlN。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度在200～500nm之间。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层的材料包括SiC，所述第二电极层的材料包括3C-SiC。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层的厚度在30～50μm之间，所述第二电极层的厚度在2～4μm之间。

8.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供具有凹槽的第一电极层；

在所述凹槽的裸露表面上以及所述凹槽两侧的所述第一电极层的裸露表面上设置预介质层；

在所述预介质层的远离所述第一电极层的一侧设置第二预电极层，所述第二预电极层和所述凹槽中的所述介质层形成空腔，所述第一电极层的材料和/或所述第二预电极层的材料包括SiC；

去除部分所述第二预电极层，使得所述凹槽两侧的部分所述预介质层裸露，形成第二电极层；

去除表面裸露的部分所述预介质层，形成具有电极接触通孔的介质层，所述电极接触通孔使得所述第一电极层的部分裸露；

在所述电极接触通孔中设置第一电极材料，形成第一电极；

在所述第二电极层的表面上设置第二电极材料，形成第二电极。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，设置有所述预介质层和所述第一电极层的结构为第一待键合结构，所述在所述预介质层的远离所述第一电极层的一侧设置第二预电极层的过程包括：

提供衬底；

在所述衬底的表面上设置所述第二预电极层，形成第二待键合结构；

将所述第一待键合结合和所述第二待键合结构键合，使得所述第二预电极层与所述预介质层的远离所述第一电极层的部分表面接触，形成键合结构；

去除所述键合结构中的所述衬底。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，采用表面活性化晶圆键合技术将所属第一待键合结合和所述第二待键合结构键合。