[发明专利]一种谐振式压力传感器及制作工艺在审
| 申请号： | 201811339734.7 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110031133A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/10 | 分类号： | G01L1/10 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振式压力传感器 薄膜 谐振 制作工艺 顶层硅 衬底 晶圆 多晶硅薄膜 埋层氧化层 氧化层薄膜 淀积膜 硅晶圆 背孔 硅层 部分固定 多晶硅层 刻蚀工艺 吸气剂层 淀积 盖帽 流体 支撑 紧凑 | ||
1.一种谐振式压力传感器，其特征在于：所述的谐振式压力传感器,包括硅晶圆(1)，薄膜部分(2)，谐振部分(3)，谐振部分固定点(4)，背孔(5)，盖帽(6)，吸气剂层(7)，支撑硅层(8)，埋层氧化层(9)，顶层硅薄膜(10)，多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜(11)；
其中：SOI晶圆(12)是由顶层硅薄膜(10)、埋层氧化层(9)和支撑硅层(8)组成；以硅晶圆(1)或是SOI晶圆(12)作为衬底，在硅晶圆(1)衬底经过多次交替淀积氧化层或者多晶硅层，形成谐振式压力传感器的薄膜部分(2)，或者在SOI晶圆(12)衬底上由顶层硅薄膜(10)或是由SOI晶圆上的顶层硅薄膜(10)和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜(11)，形成谐振式压力传感器的薄膜部分(2)；SOI晶圆(12)位于底部，上部为通过谐振部分固定点(4)连接的谐振部分(3)，谐振部分(3)的外部为壳体，壳体上部为盖帽(6)。
2.一种如权利要求1所述的谐振式压力传感器的制作工艺，其特征在于：所述的谐振部分(3)是通过淀积外延/多晶硅层实现的，衬底通过刻蚀工艺形成流体进入到薄膜的通道-谐振式压力传感器的背孔(5)。
3.按照权利要求2所述的谐振式压力传感器的制作工艺，其特征在于：在另一衬底上完成盖帽的工艺的制程，形成传感器盖帽(6)，在盖帽内通过物理气相沉积和剥离工艺沉积形成由一种或几种金属的合金或其金属氧化物组成的吸气剂，最后通过键合工艺实现盖帽与传感器部分结合在一起。
4.按照权利要求2所述的谐振式压力传感器的制作工艺，其特征在于：谐振式压力传感器背孔(5)是由湿法腐蚀工艺或是深反应离子刻蚀工艺实现；盖帽部分(6)由湿法/等离子刻蚀工艺在另一片晶圆上实现，并通过晶圆键合工艺来将盖帽和传感器其它壳体部分结合在一起。
5.按照权利要求2所述的谐振式压力传感器的制作工艺，其特征在于：吸气剂(7)是通过物理气相沉积和剥离工艺沉积到盖帽内部的，是由一种或几种金属的合金或其金属氧化物组成，主要作用是保持盖帽中真空环境。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罕王微电子（辽宁）有限公司，未经罕王微电子（辽宁）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811339734.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
