[发明专利]形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：

在衬底之上形成多层式结构；

在所述多层式结构上形成具有台阶式侧壁的光刻胶堆叠；以及

将所述光刻胶堆叠的图案转移到所述多层式结构。

2.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，所述光刻胶堆叠包括：

第一光刻胶图案，包含第一光刻胶材料且设置在所述多层式结构上；以及

第二光刻胶图案，包含第二光刻胶材料且设置在所述第一光刻胶图案上并在实体上接触所述第一光刻胶图案。

3.根据权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，所述第二光刻胶图案的宽度小于所述第一光刻胶图案的宽度。

4.根据权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，所述第一光刻胶材料不同于所述第二光刻胶材料。

5.根据权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，所述第一光刻胶材料具有第一曝光阈值，所述第二光刻胶材料具有第二曝光阈值，且所述第一曝光阈值高于所述第二曝光阈值。

6.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，具有所述台阶式侧壁的所述光刻胶图案是由单个光掩模界定的。

7.根据权利要求6所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，所述光掩模包括：

掩模衬底，具有基准透射率；

第一掩模图案，位于所述掩模衬底之上且具有第一透射率；以及

第二掩模图案，位于所述第一掩模图案之上且具有比所述第一透射率小的第二透射率。

8.根据权利要求7所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，所述第二透射率小于所述基准透射率的约10％，且所述第一透射率介于所述基准透射率的约15％与约90％之间。

9.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：

在衬底之上形成多层式结构；

在所述多层式结构上形成第一光刻胶层；

在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；

使用光掩模以第一曝光剂量对所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层进行曝光；

使用第一显影剂对所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层进行显影；

使用所述光掩模以与所述第一曝光剂量不同的第二曝光剂量对所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层进行曝光；以及

使用第二显影剂对所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层进行显影。

10.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：

提供光掩模，其中所述光掩模包括：

掩模衬底；

第一掩模图案，位于所述掩模衬底之上且具有第一透射率；以及

第二掩模图案，位于所述第一掩模图案之上且具有与所述第一透射率不同的第二透射率，其中所述第二掩模图案的宽度小于所述第一掩模图案的宽度；

提供衬底，在所述衬底上依序形成有多层式结构、第一光刻胶层及第二光刻胶层；

使用所述光掩模执行第一光刻工艺，以将所述第一掩模图案的图案转移到所述第二光刻胶层来形成临时光刻胶图案；

使用所述光掩模执行第二光刻工艺，以将所述第一掩模图案的所述图案转移到所述第一光刻胶层来形成第一光刻胶图案，并将所述第二掩模图案的图案转移到所述临时光刻胶图案来形成第二光刻胶图案；以及

使用所述第一光刻胶图案及所述第二光刻胶图案作为刻蚀掩模对所述多层式结构进行刻蚀。