[发明专利]晶圆切割工艺

说明书

本发明公开了一种晶圆切割工艺，包括以下步骤：提供晶圆，晶圆的正面刻有纵向割道和横向割道，在晶圆的正面贴附研磨胶膜，对晶圆的背面进行研磨，使晶圆减薄至预设厚度，在已减薄后的晶圆的背面贴附背面胶膜，将晶圆通过背面胶膜贴设至晶圆架上，晶圆架用于限制晶圆的移动，去除晶圆架上的晶圆的研磨胶膜，在已去除研磨胶膜的晶圆的正面进行激光灼刻，以在晶圆的正面形成多个参考凹槽，多个参考凹槽围绕形成多边形区域，根据纵向割道和横向割道对晶圆进行切割，根据多边形区域摘取芯片。本发明公开的晶圆切割工艺可准确的标记出正面参考点的位置，提高晶圆的切割准确度，避免不合格芯片产品掺杂到合格产品中。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种晶圆切割工艺。

背景技术

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。在半导体封装过程中，当晶圆厂生产晶圆时，一般不会专门在晶圆的正面做一个特征点，这对于贴片站来说必须人工标记一个参考点，并人工二次确认晶圆的起始工作位置。

现有技术中的参考标记一般是手动在晶圆边缘用记号笔添加参考点，但是手动标记的参考点，贴片站机台容易将边缘芯片识别在内，导致后续切割晶圆时不易识别该手动标记的参考点，以致不合格芯片产品掺杂到合格产品中。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆切割工艺，可准确的标记出正面参考点的位置，提高晶圆的切割准确度，避免不合格芯片产品掺杂到合格产品中。

本发明提供的晶圆切割工艺，包括以下步骤：

提供晶圆，所述晶圆的正面刻有纵向割道和横向割道；

在所述晶圆的正面贴附研磨胶膜；

对所述晶圆的背面进行研磨，使晶圆减薄至预设厚度；

在已减薄后的晶圆的背面贴附背面胶膜；

将晶圆通过所述背面胶膜贴设至晶圆架上，所述晶圆架用于限制晶圆的移动；

去除晶圆架上的晶圆的研磨胶膜；

在已去除研磨胶膜的晶圆的正面进行激光灼刻，以在晶圆的正面形成多个参考凹槽，所述多个参考凹槽围绕形成闭合的多边形区域；

根据所述纵向割道和所述横向割道对晶圆进行切割；

根据所述多边形区域摘取芯片。

在一种可行的方案中，所述对所述晶圆的背面进行研磨，使晶圆减薄至预设厚度的步骤中，具体包括以下步骤：

对晶圆的背面开始进行研磨的同时，对晶圆的背面冲刷冷却液；

对减薄后的晶圆进行清洗和吹干。

在一种可行的方案中，所述在已去除研磨胶膜的晶圆的正面进行激光灼刻并形成多个参考凹槽中，具体包括以下步骤：

获取晶圆地图，所述晶圆地图包括晶圆上的芯片位置信息；

在所述晶圆地图中选取多个参考凹槽；

根据所述多个参考凹槽在已去除研磨胶膜的晶圆的正面进行激光灼刻；

在晶圆的正面形成多个所述参考凹槽。

在一种可行的方案中，所述参考凹槽的横截面为正方形，所述正方形的边长为2mm～5mm，所述参考凹槽的深度为10um～15um。

在一种可行的方案中，晶圆的原始厚度为700um～800um，所述预设厚度为100um～400um。

在一种可行的方案中，所述根据多边形区域对晶圆进行切割中，切割速度为120mm/s-150mm/s。